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FZ1200R17HE4P
IHM-BModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diodeundbereitsaufgetragenem ThermalInterfaceMaterial IHM-BmodulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandpre-appliedThermal InterfaceMaterial
TypischeAnwendungen • Hochleistungsumrichter • Motorantriebe
ElektrischeEigenschaften • ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop • NiedrigeSchaltverluste • NiedrigesVCEsat • Tvjop=150°C
MechanischeEigenschaften • 4kVAC1minIsolationsfestigkeit • GehäusemitCTI>400 • GroßeLuft-undKriechstrecken • HoheLeistungsdichte • IHMBGehäuse • Kupferbodenplatte • RoHSkonform • Thermisches Interface Material bereits
aufgetragen
VCES = 1700V IC nom = 1200A / ICRM = 2400A
TypicalApplications • Highpowerconverters • Motordrives
ElectricalFeatures • ExtendedoperatingtemperatureTvjop • Lowswitchinglosses • LowVCEsat • Tvjop=150°C
MechanicalFeatures • 4kVAC1mininsulation • PackagewithCTI>400 • Highcreepageandclearancedistances • Highpowerdensity • IHMBhousing • Copperbaseplate • RoHScompliant • Pre-appliedThermalInterfaceMaterial
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek)
Digit 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23
Datasheet www.infineon.com
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V3.0 2016-10-17
FZ1200R17HE4P
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent
TH = 90°C, Tvj max = 175°C
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage
VCES IC nom ICRM VGES
1700 1200 2400 +/-20
V A A V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage
IC = 1200 A, VGE = 15 V IC = 1200 A, VGE = 15 V IC = 1200 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage
IC = 48,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
InternerGatewiderstand Internalgateresistor
Tvj = 25°C
Eingangskapazität Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1700 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 1200 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGon = 0,68 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload
IC = 1200 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGon = 0,68 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 1200 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGoff = 1,0 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload
IC = 1200 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGoff = 1,0 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse
IC = 1200 A, VCE = 900 V, LS = 50 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 9000 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 0,68 Ω
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse
IC = 1200 A, VCE = 900 V, LS = 50 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 2950 V/µs (Tvj = 150°C)Tvj = 125°C
RGoff = 1,0 Ω
Tvj = 150°C
Kurzschlußverhalten SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 1000 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink
proIGBT/perIGBT validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial
TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions
min. typ. max.
VCE sat
1,95 2,30 V 2,35 2,75 V 2,45 2,90 V
VGEth 5,20 5,80 6,40 V
QG
12,5
µC
RGint
1,6
Ω
Cies
97,0
nF
Cres
3,15
nF
ICES
5,0 mA
IGES td on
tr td off
tf
Eon Eoff ISC RthJH
400 nA
0,68
µs
0,79
µs
0,81
µs
0,14
µs
0,145
µs
0,145
µs
1,10
µs
1,20
µs
1,25
µs
0,18
µs
0,43
µs
0,51
µs
280
mJ
370
mJ
400
mJ
240
mJ
380
mJ
420
mJ
5500
A
23,4 K/kW
Tvj op -40
150 °C
Datasheet
2
V3.0
2016-10-17
FZ1200R17HE4P
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms.