DF23MR12W1M1_B11

DF23MR12W1M1_B11 EasyPACK™ModulmitCoolSiC™TrenchMOSFETundPressFIT/NTC EasyPACK™modulewithCoolSiC™TrenchMOSFETandPressFIT/NTC VorläufigeDaten/PreliminaryData PotentielleAnwendungen SolarAnwendungen ElektrischeEigenschaften CoolSiCTMSchottkyDiodeGen5 HoheStromdichte NiederinduktivesDesign NiedrigeSchaltverluste MechanischeEigenschaften IntegrierterNTCTemperaturSensor PressFITVerbindungstechnik Robuste Montage durch integrierte Befestigungsklammern - VDSS = 1200V ID nom = 25A / IDRM = 50A PotentialApplications Solarapplications ElectricalFeatures CoolSiCTMSchottkydiodegen5 Highcurrentdensity Lowinductivedesign Lowswitchinglosses MechanicalFeatures IntegratedNTCtemperaturesensor PressFITcontacttechnology Rugged mounting due to integrated mounting clamps ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) Digit 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 Datasheet www.infineon.com PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V2.4 2018-12-13 DF23MR12W1M1_B11 MOSFET/MOSFET HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Drain-Source-Spannung Drain-sourcevoltage Tvj = 25°C Drain-Gleichstrom DCdraincurrent Tvj = 175°C, VGS = 15 V TH = 70°C GepulsterDrainstrom Pulseddraincurrent verifiziertdurchDesign,tplimitiertd...