Control Thyristor. T1190N Datasheet

T1190N Thyristor. Datasheet pdf. Equivalent

Part T1190N
Description Phase Control Thyristor
Feature N Datenblatt / Data sheet Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T1190N Elektrische Eigenschafte.
Manufacture Infineon
Datasheet
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T1190N
N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1190N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Vorweänrntsd-Satotessnspitzensperrspannung
Tvj = -40°C... Tvj max
non-repetitive peak forward off-state voltage
Elektrische Eigenschaften Rückwärts-Stossspitzensperrspannung
Tvj = +25°C... Tvj max
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlassstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85 °C
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
Stossstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
5.Kennbuchstabe / 5th letter F
VDRM,VRRM 1200
1400
VDSM
1200
1400
VRSM
1300
1500
ITRMSM
ITAVM
ITAVM
ITRMS
ITSM
I²t
(diT/dt)cr
(dvD/dt)cr
1600 V
1800 V
1600 V
1800 V
1700 V
1900 V
2800 A
1190 A
1760 A
2770 A
25500 A
22500 A
3250 10³ A²s
2530 10³ A²s
200 A/µs
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlassspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlasskennlinie 300 A iT 6000 A
on-state characteristic
v T = A + B iT + C ln (iT + 1) + D iT
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
Tvj = Tvj max, iT = 5,4 kA
Tvj = Tvj max, iT = 1,0 kA
Tvj = Tvj max
vT
V(TO)
max.
max.
2,05 V
1,06 V
0,90 V
Tvj = Tvj max
rT
0,190 m
Tvj = Tvj max
Tvj = 25 °C, vD = 12V
A=
7,528E-01
B=
1,682E-04
C=
-1,035E-02
D=
6,509E-03
IGT
max. 250 mA
Tvj = 25 °C, vD = 12V
VGT
max.
2V
Tvj = Tvj max, vD = 12V
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM
IGD
max. 20 mA
max. 10 mA
VGD
max. 0,2 V
Tvj = 25°C, vD = 12V
IH
max. 500 mA
Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK 10
IL
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
Tvj = Tvj max
vD = VDRM, vR = VRRM
iD, iR
DIN IEC 60747-6
tgd
Tvj = 25 °C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
max. 2500 mA
max. 150 mA
max.
4 µs
prepared by: H.Sandmann
approved by: M.Leifeld
IFBIP D AEC, 2008-09-18, H.Sandmann
date of publication: 2008-09-18
revision:
2.0
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T1190N
N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1190N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Thermische Eigenschaften Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
tq
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
Mechanische Eigenschaften dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4th letter O
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
RthJC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
einseitig / single-sides
RthCH
Tvj max
Tc op
Tstg
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
Steueranschlüsse
control terminals
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
F
Gate (flat)
Gate (round, based on AMP 60598)
Kathode / cathode
G
f = 50 Hz
typ.
240 µs
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,0230 °C/W
0,0210 °C/W
0,0395 °C/W
0,0375 °C/W
0,0500 °C/W
0,0480 °C/W
max. 0,0035 °C/W
max. 0,0070 °C/W
125 °C
-40...+125 °C
-40...+150 °C
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16...32 kN
A 2,8x0,5 mm
Ø 1,5 mm
A 4,8x0,5 mm
typ.
600 g
20 mm
50 m/s²
IFBIP D AEC, 2008-09-18, H.Sandmann
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