Control Thyristor. T2160N Datasheet

T2160N Thyristor. Datasheet pdf. Equivalent

Part T2160N
Description Phase Control Thyristor
Feature N Datenblatt / Data sheet Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T2160N Elektrische Eigenschafte.
Manufacture Infineon
Datasheet
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T2160N
N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T2160N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
PereiondinscdhaetVeonrwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Elektrische Eigenschaften Vorwärts-Stossspitzensperrspannung
Tvj = -40°C... Tvj max
non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stossspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = +25°C... Tvj max
Durchlassstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85 °C
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
Stossstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, iGM = 1,6 A,
diG/dt = 1,6 A/µs
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
5.Kennbuchstabe / 5th letter F
VDRM,VRRM 2200
2400
VDSM
2200
2400
VRSM
2300
2500
ITRMSM
ITAVM
ITAVM
ITRMS
ITSM
I²t
(diT/dt)cr
(dvD/dt)cr
2600 V
2800 V
2600 V
2800 V
2700 V
2900 V
4600 A
2400 A
3470 A
5460 A
44000 A
40000 A
9680 10³ A²s
8000 10³ A²s
150 A/µs
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlassspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlasskennlinie 600 A iT 12000 A
on-state characteristic
v T = A + B iT + C ln (iT + 1) + D iT
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
Tvj = Tvj max, iT = 8800 A
Tvj = Tvj max, iT = 1800 A
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = 25 °C, vD = 12 V
Tvj = 25 °C, vD = 12 V
Tvj = Tvj max, vD = 12 V
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM
vT
V(TO)
rT
A=
B=
C=
D=
IGT
VGT
IGD
VGD
max.
max.
2,65 V
1,38 V
1,05 V
0,154 m
9,039E-01
1,344E-04
-7,137E-03
6,776E-03
max. 300 mA
max.
3V
max.
max.
max.
10 mA
5 mA
0,25 V
Tvj = 25 °C, vD = 12 V
IH
max. 300 mA
Tvj = 25 °C, vD = 12 V, RGK 10
iGM = 1,6 A, diG/dt = 1,6 A/µs,
tg = 20 µs
Tvj = Tvj max
vD = VDRM, vR = VRRM
DIN IEC 60747-6
Tvj = 25 °C, iGM = 1,6 A,
diG/dt = 1,6 A/µs
IL
iD, iR
tgd
max. 1500 mA
max. 250 mA
max.
3 µs
prepared by: H.Sandmann
approved by: M.Leifeld
date of publication: 2010-06-23
revision:
3.1
IFBIP D AEC / 2010-06-23, H.Sandmann
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T2160N
N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T2160N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Thermische Eigenschaften Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
tq
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
Mechanische4.KeEnnibguchestnabes/c4thhletaterfOten
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
RthJC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
einseitig / single-sides
RthCH
Tvj max
Tc op
Tstg
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
Steueranschlüsse
control terminals
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
F
Gate (flat)
Gate (round, based on AMP 60598)
Kathode / cathode
G
f = 50 Hz
typ.
400 µs
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,0085 °C/W
0,0078 °C/W
0,0152 °C/W
0,0146 °C/W
0,0183 °C/W
0,0169 °C/W
max. 0,0025 °C/W
max. 0,0050 °C/W
125 °C
-40...+125 °C
-40...+150 °C
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42...95 kN
A 2,8x0,5 mm
Ø 1,5 mm
A 4,8x0,5 mm
typ. 1200 g
25 mm
50 m/s²
IFBIP D AEC / 2010-06-23, H.Sandmann
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