Rectifier Diode. 56DN06B01 Datasheet

56DN06B01 Diode. Datasheet pdf. Equivalent

Part 56DN06B01
Description Rectifier Diode
Feature N NetzK-Genlenicdhartiecnhterdiode Rectifier Diode Technische Informationen / technical information.
Manufacture Infineon
Datasheet
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56DN06B01
N
NetzK-Genlenicdhartiecnhterdiode
Rectifier Diode
Technische Informationen /
technical information
56DN06B01
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
Tvj = -40°C... Tvj max
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = +25°C... Tvj max
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
tp 5ms
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 110 °C
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 100 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
ThermischeTvjE= Tivgjmaxe, tnP =s10cmhs aften
VRRM
VRSM
IFRMSM
IFAVM
IFAVM
IFRMS
IFAVM
IFRMS
IFSM
I²t
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie 2000 A ≤ iF ≤ 42000 A
on-state characteristic
vF A B iF C ln (iF 1) D iF
Sperrstrom
reverse current
Tvj = Tvj max , iF = 8 kA
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
vF
V(TO)
rT
A=
B=
C=
D=
iR
400 V
600 V
450 V
650 V
13200 A
8400 A
9200 A
14450 A
12170 A
19120 A
81000 A
70000 A
32800 A²s*10³
24500 A²s*10³
max. 0,98 V
max. 0,66 V
max. 0,037
4,269E-01
1,851E-05
6,879E-03
3,874E-03
max.
100 mA
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
RthJC
RthCH
Tvj max
Tc op
Tstg
max.
max.
max.
5,8 K/kW
5,2 K/kW
2,5 K/kW
180 °C
-40...+180 °C
-40...+180 °C
prepared by: HR
approved by: ML
date of publication: 2013-08-07
revision: 3.1
Date of publication: 2013-08-07
Revision: 3.1
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56DN06B01
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Technische Informationen /
technical information
56DN06B01
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
F
clamping force
Gewicht
G
weight
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
Hinweis:
Wir empfehlen, die Diode mit einem temperaturbeständigen O-Ring zu schützen
Note:
We recommend to protect the diode with a heat resistant O-ring
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30…45 kN
typ.
110 g
50 m/s²
Date of publication: 2013-08-07
Revision: 3.1
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