Rectifier Diode. 46DN06 Datasheet

46DN06 Diode. Datasheet pdf. Equivalent

Part 46DN06
Description Rectifier Diode
Feature N Datenblatt / Data sheet Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode 46DN06 Elektrische Eigenschaft.
Manufacture Infineon
Datasheet
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46DN06
N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
46DN06
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
PerKiodeisncnhedaStpeitznensperrspannung
Tvj = -25°C... Tvj max
repetitive peak reverse voltages
DurcEhlalßestrkomt-rGirsenczehffeketivwEert igenschaften
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
TC = 118 °C
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie 2000 A iF 26000 A
on-state characteristic
v F = A + B iF + C ln ( iF + 1 ) + D iF
Sperrstrom
reverse current
Tvj = Tvj max , iF = 14 kA
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
VRRM
IFRMSM
IFAVM
IFSM
I²t
600 V
8000 A
5100 A
60000 A
52000 A
18000 10³A²s
13500 10³A²s
vF
max. 1,36 V
V(TO)
0,7 V
rT
0,047 m
A=
B=
C=
D=
iR
6,334E-01
7,077E-06
-2,820E-02
7,553E-03
max.
60 mA
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
Thermische Eigenschaften thermal resistance, junction to case
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
RthJC
RthCH
Tvj max
Tc op
Tstg
max. 0,0094 °C/W
max. 0,0088 °C/W
max.
0,003 °C/W
180 °C
-40...+180 °C
-40...+180 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
Gewicht
weight
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
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F
30...45 kN
G
typ.
102 g
50 m/s²
prepared by: H.Sandmann
approved by: M.Leifeld
IFBIP D AEC / 2011-02-17, H.Sandmann
date of publication: 2011-02-17
revision:
3.0
A 04/11
Seite/page
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46DN06
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
46DN06
Maßbild
Maßbild
Hinweis:
Wir empfehlen die Diode mit einem temperaturbeständigen O-Ring zu schützen.
Notice:
We recommended to protect the diode with a temperature resistant O-Ring.
1: Anode/
1
2
Anode
2: Kathode/
Cathode
IFBIP D AEC / 2011-02-17, H.Sandmann A 04/11
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