Rectifier Diode. D8320N Datasheet

D8320N Diode. Datasheet pdf. Equivalent

Part D8320N
Description Rectifier Diode
Feature N Datenblatt / Data sheet Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D8320N Vorläufige Daten prelim.
Manufacture Infineon
Datasheet
Download D8320N Datasheet



D8320N
N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D8320N
Vorläufige Daten
preliminary data
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
PerKiodeisncnhedaStpeitznensperrspannung
Tvj = -25°C... Tvj max
repeEtitivleepkeatkrreivsercsehvoeltageEs igenschaften
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 56 °C
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max tP = 10 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
VRRM
IFRMSM
IFAVM
IFSM
I²t
400 V
600 V
13300 A
8320 A
103000 A
95000 A
53000 10³A²s
45000 10³A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie 2500 A iF 35000 A
on-state characteristic
v F = A + B iF + C ln ( iF + 1 ) + D iF
Sperrstrom
reverse current
Tvj = Tvj max , iF = 10,0 kA
Tvj = Tvj max , iF = 4,0 kA
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
vF
V(TO)
rT
A=
B=
C=
D=
iR
max.
max.
0,940 V
0,795 V
0,7 V
0,024 m
8,869E-01
2,664E-06
-4,856E-02
4,741E-03
max.
100 mA
Thermische Eigenschaften Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
thermal resistance, junction to case
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
RthJC
RthCH
Tvj max
Tc op
Tstg
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,0125 °C/W
0,0117 °C/W
0,0232 °C/W
0,0225 °C/W
0,0250 °C/W
0,0245 °C/W
max.
0,003 °C/W
180 °C
-25...+150 °C
-25...+150 °C
prepared by: H.Sandmann
approved by: M.Leifeld
IFBIP D AEC / 2008-04-09, H.Sandmann
date of publication: 2008-04-10
revision:
1
A 15/08
Seite/page 1/8



D8320N
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D8320N
Vorläufige Daten
preliminary data
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Mechanische Eigenschaften
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
F
clamping force
Gewicht
G
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
Seite 3
page 3
40...80 kN
typ.
900 g
30 mm
50 m/s²
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
IFBIP D AEC / 2008-04-09, H.Sandmann
A 15/08
Seite/page 2/8





@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site (Privacy Policy & Contact)