Rectifier Diode. D770N Datasheet

D770N Diode. Datasheet pdf. Equivalent

Part D770N
Description Rectifier Diode
Feature N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode Datenblatt / Data sheet D770N Elektrische Eigenschaften .
Manufacture Infineon
Datasheet
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D770N
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D770N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
PerKiodeisncnhedaStpeitznensperrspannung
Tvj = -40°C... Tvj max
repeEtitivleepkeatkrreivsercsehvoeltageEs igenschaften
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 100 °C
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max tP = 10 ms
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
VRRM 1200
1400
IFRMSM
IFAVM
IFAVM
IFRMS
IFSM
I²t
1800 V
2000 V
933 A
770 A
1010 A
1590 A
7700 A
6000 A
296,45 10³A²s
180 10³A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max , iF = 1,6 kA
Tvj = Tvj max , iF = 400 A
Tvj = Tvj max
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie 100 A iF 2000 A
on-state characteristic
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
v F = A + B iF + C ln ( iF + 1 ) + D iF
Sperrstrom
reverse current
ThermischeTvjEigenschaften = Tvj max , vR = VRRM
vF
V(TO)
rT
A=
B=
C=
D=
iR
max.
max.
1,76 V
1,08 V
0,81 V
0,54 m
2,182E-01
5,198E-04
1,232E-01
-4,824E-03
max.
30 mA
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthJC
RthCH
Tvj max
Tc op
Tstg
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,057 °C/W
0,053 °C/W
0,094 °C/W
0,090 °C/W
0,134 °C/W
0,130 °C/W
max.
max.
0,015 °C/W
0,030 °C/W
180 °C
-40...+180 °C
-40...+180 °C
prepared by: H.Sandmann
approved by: M.Leifeld
IFBIP D AEC / 2010-01-20, H.Sandmann
date of publication: 2010-01-20
revision:
3.1
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D770N
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D770N
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Mechanische Eigenschaften
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
F
clamping force
Gewicht
G
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
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3,2...7,6 kN
typ.
75 g
10 mm
50 m/s²
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
IFBIP D AEC / 2010-01-20, H.Sandmann
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