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TT61N Dataheets PDF



Part Number TT61N
Manufacturers Infineon
Logo Infineon
Description Phase Control Thyristor
Datasheet TT61N DatasheetTT61N Datasheet (PDF)

N Datenblatt / Data sheet Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT61N TT61N 5555Kenndaten TT61N...-K Elektrische Eigenschaften Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max repetitive peak forward off-state and reverse voltages TD61N TD61N...-A Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage Tvj = -40°C... Tvj ma.

  TT61N   TT61N


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N Datenblatt / Data sheet Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT61N TT61N 5555Kenndaten TT61N...-K Elektrische Eigenschaften Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max repetitive peak forward off-state and reverse voltages TD61N TD61N...-A Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage Tvj = -40°C... Tvj max Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Tvj = +25°C... Tvj max Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current Dauergrenzstrom average on-state current Stoßstrom-Grenzwert surge current Grenzlastintegral I²t-value Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage TC = 85°C TC = 76°c Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms DIN IEC 747-6 f = 50 Hz, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM 6.Kennbuchstabe / 6th letter F DT61N DT61N...-K VDRM,VRRM 1200 1600 VDSM VRSM 1200 1600 1300 1700 ITRMSM 1400 V V 1400 V V 1500 V V 120 A ITAVM ITSM I²t (diT/dt)cr 60 A 76 A 1550 A 1400 A 12000 A²s 9800 A²s 150 A/µs (dvD/dt)cr 1000 V/µs Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand slope resistance Zündstrom gate trigger current Zündspannung gate trigger voltage Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage Haltestrom holding current Einraststrom latching current Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse current Zündverzug gate controlled delay time Tvj = Tvj max , iT = 300 A vT Tvj = Tvj max V(TO) Tvj = Tvj max rT Tvj = 25°C, vD = 6 V IGT Tvj = 25°C, vD = 6 V VGT Tvj = Tvj max , vD = 6 V Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM IGD VGD Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5 Ω IH Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs Tvj = Tvj max vD = VDRM, vR = VRRM DIN IEC 747-6 Tvj = 25 °C,iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs IL iD, iR tgd max. 1,9 V 0,8 V 3,4 mΩ max. 120 mA max. 1,4 V max. max. max. 5,0 mA 2,5 mA 0,2 V max. 200 mA max. 620 mA max. 20 mA max. 3 µs prepared by: C.Drilling approved by: J. Novotny BIP AC/ 16.05.2002; Drilling date of publication: 09.07.02 revision: 3 A 05/02 Seite/page 1/2 N Datenblatt / Data sheet Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time TT61N Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM tq vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs 5.Kennbuchstabe / 5th letter O Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec VISOL Thermische Eigenschaften Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand pro Modul / per Module, Θ = 180° sin RthJC thermal resistance, junction to case pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin pro Modul / per Module, DC pro Zweig / per arm, DC Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per Module pro Zweig / per arm RthCH Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature Tvj max Tc op Tstg Mechanische Eigenschaften Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see annex Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Innere Isolation internal insulation Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse Toleranz / Tolerance ± 15% M1 mounting torque Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse terminal connection torque Toleranz / Tolerance ± 10% M2 Steueranschlüsse control terminals DIN 46 244 Gewicht G weight Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz UL-gelistet UL listed file-No. typ. 120 µs 2,5 kV 3,0 kV max. max. max. max. max. max. 0,26 °C/W 0,52 °C/W 0,25 °C/W 0,50 °C/W 0,08 °C/W 0,16 °C/W 125 °C -40...+125 °C -40...+130 °C Seite 3 page 3 AlN 4 Nm 4 Nm A 2,8 x 0,8 typ. 160 g 12,5 mm 50 m/s² E 83336 Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. BIP AC/ 16.05.2002; Drilling A 05/02 Seite/page 2/2 N Datenblatt / Data sheet Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT61N Maßbild Maßbild Maß.


sTT2200N18P55 TT61N TT92N


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