Control Thyristor. TZ400N Datasheet

TZ400N Thyristor. Datasheet pdf. Equivalent

Part TZ400N
Description Phase Control Thyristor
Feature N Datenblatt / Data sheet Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TZ400N TZ400N Ken.
Manufacture eupec
Datasheet
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TZ400N
N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TZ400N
TZ400N
Kenndaten
Elektrische Eigenschaften Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
VDRM,VRRM 2000
2400
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Tvj = -40°C... Tvj max
VDSM
2000
2400
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = +25°C... Tvj max
VRSM
2100
2500
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
ITRMSM
TC = 85°C
TC = 46°C
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
DIN IEC 747-6
f = 50 Hz, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
6.Kennbuchstabe / 6th letter F
ITAVM
ITSM
I²t
(diT/dt)cr
(dvD/dt)cr
2200 V
2600 V
2200 V
2600 V
2300 V
2700 V
1050 A
400 A
670 A
13000 A
11000 A
845000 A²s
605000 A²s
150 A/µs
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
Tvj = Tvj max , iT = 1500 A
vT
Tvj = Tvj max
V(TO)
Tvj = Tvj max
rT
Tvj = 25°C, vD = 6 V
IGT
Tvj = 25°C, vD = 6 V
VGT
Tvj = Tvj max , vD = 6 V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
IGD
VGD
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5
IH
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK 10
IL
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
Tvj = Tvj max
vD = VDRM, vR = VRRM
iD, iR
DIN IEC 747-6
tgd
Tvj = 25 °C,iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
max. 1,88 V
1,00 V
0,50 m
max. 250 mA
max. 2,2 V
max.
max.
max.
10 mA
5 mA
0,25 V
max. 300 mA
max. 1500 mA
max. 100 mA
max.
4 µs
prepared by: C.Drilling
approved by: M. Leifeld
BIP AC / 2004-03-11
date of publication: 11.03.04
revision:
2
A08/04
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TZ400N
N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TZ400N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
tq
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
5.Kennbuchstabe / 5th letter O
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
VISOL
Thermische Eigenschaften Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin RthJC
thermal resistance, junction to case
pro Modul / per Module, DC
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
Mechanische Eigenschaften Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Toleranz / Tolerance ± 15%
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Toleranz / Tolerance ± 10%
Steueranschlüsse
control terminals
DIN 46 244
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
file-No.
RthCH
Tvj max
Tc op
Tstg
M1
M2
G
typ.
300 µs
3,0 kV
3,6 kV
max.
max.
0,065 °C/W
0,062 °C/W
max. 0,02 °C/W
125 °C
-40...+125 °C
-40...+130 °C
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AlN
5 Nm
12 Nm
A 2,8 x 0,8
typ.
900 g
15 mm
50 m/s²
E 83336
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
BIP AC / 2004-03-11
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