Rectifier Diode. DD171N Datasheet

DD171N Diode. Datasheet pdf. Equivalent

Part DD171N
Description Rectifier Diode
Feature N Datenblatt / Data sheet Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module DD171N DD171N ND171N ElektK.
Manufacture Infineon
Datasheet
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DD171N
N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD171N
DD171N
ND171N
ElektKriesnchnedaEtigeennschaften / Electrical properties
Elektrische Eigenschaften Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
Tvj = -40°C... Tvj max
repeTtitihve eperakmreviesrsecvholtaegesEigenschaften
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = +25°C... Tvj max
DD171N..K..-A
VRRM
VRSM
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
TC = 100°C
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
IFRMSM
IFAVM
IFSM
I²t
DD171N..K..-K
1200
1600
1300
1700
1400 V
1800 V
1500 V
1900 V
270 A
171 A
6.600 A
5.600 A
218.000 A²s
157.000 A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Sperrstrom
reverse current
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Tvj = Tvj max , iF = 500 A
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
vF
V(TO)
rT
iR
VISOL
max. 1,26 V
0,75 V
0,8
max.
20 mA
3,0 kV
2,5 kV
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin
pro Modul / per Module, DC
pro Zweig / per arm, DC
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
RthJC
RthCH
Tvj max
Tc op
Tstg
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,130 °C/W
0,260 °C/W
0,126 °C/W
0,252 °C/W
0,03 °C/W
0,06 °C/W
150 °C
- 40...+150 °C
- 40...+150 °C
prepared by: A.Glunz
approved by: M.Leifeld
date of publication: 2016-01-28
revision:
3.1
IFBIP D AEC / 2016-01-28, A.Glunz
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DD171N
N
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
Datenblatt / Data sheet
DD171N
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Mechanische Si-Element mit Druckkontakt Eigenschaften
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
Toleranz ±15%
M1
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
Toleranz ±10%
M2
terminal connection torque
Gewicht
G
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
file-No.
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AlN
6 Nm
6 Nm
typ.
310 g
15 mm
50 m/s²
E 83336
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
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