Rectifier Diode. DD160N Datasheet

DD160N Diode. Datasheet pdf. Equivalent

Part DD160N
Description Rectifier Diode
Feature N Datenblatt / Data sheet Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module DD160N DD160N ElektKriesnchn.
Manufacture Infineon
Datasheet
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DD160N
N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD160N
DD160N
ElektKriesnchnedEatigeennschaften / Electrical properties
Elektrische Eigenschaften Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
Tvj = -40°C... Tvj max
repeTtitihve eperakmreviesrsecvholtaegesEigenschaften
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = +25°C... Tvj max
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
TC = 100°C
TC = 95 °C
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
VRRM
VRSM
IFRMSM
IFAVM
IFSM
I²t
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Sperrstrom
reverse current
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Tvj = Tvj max , iF = 500 A
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
vF
V(TO)
rT
iR
VISOL
Vorläufige Daten
Preliminary data
2200 V
2300 V
270 A
160 A
172 A
5.300 A
4.600 A
140.500 A²s
105.800 A²s
max. 1,40 V
0,8 V
1,0 m
max.
20 mA
3,0 kV
2,5 kV
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin RthJC
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin
pro Modul / per Module, DC
pro Zweig / per arm, DC
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
RthCH
Tvj max
Tc op
Tstg
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,130 °C/W
0,260 °C/W
0,126 °C/W
0,252 °C/W
0,03 °C/W
0,06 °C/W
150 °C
- 40...+150 °C
- 40...+150 °C
prepared by: C. Drilling
approved by: M. Leifeld
date of publication: 11.02.2009
revision:
1
DAEC / 09-02-11, C. Drilling
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DD160N
N
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
Datenblatt / Data sheet
DD160N
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Mechanische Si-Element mit Druckkontakt Eigenschaften
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
Toleranz ±15%
M1
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
Toleranz ±10%
M2
terminal connection torque
Gewicht
G
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
file-No.
Vorläufige Daten
Preliminary data
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AlN
6 Nm
6 Nm
typ.
310 g
15 mm
50 m/s²
E 83335
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
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