Rectifier Diode. DDB6U215N14 Datasheet

DDB6U215N14 Diode. Datasheet pdf. Equivalent

Part DDB6U215N14
Description Rectifier Diode
Feature Technische Information / Technical Information Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module DD B6U 215.
Manufacture eupec
Datasheet
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DDB6U215N14
Technische Information / Technical Information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD B6U 215 N 12...18 (ISOPACK)
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)
RMS forward current (per chip)
Ausgangsstrom
output current
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = - 40°C...Tvj max
Tvj = + 25°C...Tvj max
TC = 110°C
TA = 45°C, KM 11
TA = 45°C, KM 33
TA = 35°C, KM 14 (VL = 45l/s)
TA = 35°C, KM 33 (VL = 90l/s)
Tvj = 25°C, tS = 10ms
Tvj = Tvj max, tp = 10ms
Tvj = 25°C, tS = 10ms
Tvj = Tvj max, tp = 10ms
VRRM
VRSM
IFRMSM
Id
IFSM
I²t
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
forward voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
Sperrstrom
reverse current
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Tvj = Tvj max, iF = 300A
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max,vR = VRRM
RMS, f = 50Hz, t = 1min
RMS, f = 50Hz, t = 1sec
vF
V(TO)
rT
iR
VISOL
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Modul / per module, Θ = 120°rect
pro Element / per chip, Θ = 120°rect
pro Modul / per module, DC
pro Element / per chip, DC
RthJC
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
pro Element / per chip
RthCK
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Tvj max
Betriebstemperatur
Tc op
operating temperature
Lagertemperatur
Tstg
storage temperature
N
B6
1200, 1400 V
1600, 1800 V
1300, 1500 V
1700, 1900 V
125 A
215 A
93 A
127 A
215 A
215 A
2200 A
1950 A
24200 A²s
19000 A²s
max. 1,61 V
0,75 V
1,6 m
max. 10 mA
3,0 kV
3,6 kV
max. 0,082
max. 0,490
max. 0,065
max. 0,390
max. 0,033
max. 0,200
150
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C
- 40...+150 °C
- 40...+150 °C
MOD-E1; R. Jörke
09. Feb 99
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DDB6U215N14
Technische Information / Technical Information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD B6U 215 N 12...18 (ISOPACK)
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Si-Elemente mit Lötkontakt, glaspassiviert
Si-pellets with soldered contact, glass-passivated
Innere Isolation
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung
Toleranz / tolerance ±15%
M1
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Toleranz / tolerance +5% / -10%
M2
Gewicht
G
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
Kühlkörper / heatsinks : KM 11; KM 14; KM 17; KM 33
N
B6
Seite 3
page 3
Al2O3
6 Nm
6 Nm
typ. 300 g
12,5 mm
50 m/s²
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
MOD-E1; R. Jörke
09. Feb 99
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