IGBT. DDB6U180N16RR_B11 Datasheet

DDB6U180N16RR_B11 IGBT. Datasheet pdf. Equivalent

Part DDB6U180N16RR_B11
Description IGBT
Feature TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module DDB6U180N16RR_B11 EconoPACK.
Manufacture Infineon
Datasheet
Download DDB6U180N16RR_B11 Datasheet



DDB6U180N16RR_B11
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
DDB6U180N16RR_B11
EconoPACK™2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundPressFIT
EconoPACK™2modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandPressFIT
TypischeAnwendungen
• Hilfsumrichter
• Klimaanlagen
• Motorantriebe
• Servoumrichter
ElektrischeEigenschaften
• Tvjop=150°C
MechanischeEigenschaften
Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand
• HoheLeistungsdichte
• IsolierteBodenplatte
• KompaktesDesign
• PressFITVerbindungstechnik
• RoHSkonform
• Standardgehäuse
VCES = 1600V
IC nom = 180A / ICRM = 360A
TypicalApplications
• AuxiliaryInverters
• AirConditioning
• MotorDrives
• ServoDrives
ElectricalFeatures
• Tvjop=150°C
MechanicalFeatures
• Al2O3SubstratewithLowThermalResistance
• HighPowerDensity
• IsolatedBasePlate
• Compactdesign
• PressFITContactTechnology
• RoHScompliant
• StandardHousing
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:CM
approvedby:RS
ContentoftheCode
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
Digit
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
dateofpublication:2014-06-10
revision:3.0
ULapproved(E83335)
1



DDB6U180N16RR_B11
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
DDB6U180N16RR_B11
Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip
MaximumRMSforwardcurrentperchip
TC = 80°C
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
TC = 80°C
StoßstromGrenzwert
Surgeforwardcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
Grenzlastintegral
I²t-value
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Tvj = 150°C, IF = 150 A
Schleusenspannung
Thresholdvoltage
Tvj = 150°C
Ersatzwiderstand
Sloperesistance
Tvj = 150°C
Sperrstrom
Reversecurrent
Tvj = 150°C, VR = 1600 V
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
VRRM 
1600
V
IFRMSM 
150
A
IRMSM 
IFSM 
I²t 
180
1600
1400
13000
9500
A

A
A

A²s
A²s
min. typ. max.
VF
1,20
V
VTO
0,83
V
rT
2,30
m
IR
1,00
mA
RthJC
0,35 K/W
RthCH
0,165
K/W
Tvj op -40
150 °C
preparedby:CM
approvedby:RS
dateofpublication:2014-06-10
revision:3.0
2





@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site (Privacy Policy & Contact)