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IPB110N20N3LF
MOSFET
OptiMOSTM3LinearFET,200V
Features
•Idealforhot-swapande-fuseapplications •Verylowon-resistanceRDS(on) •WidesafeoperatingareaSOA •N-channel,normallevel •100%avalanchetested •Pb-freeplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21
Table1KeyPerformanceParameters
Parameter
Value
Unit
VDS
200
V
RDS(on),max
11
mΩ
ID
88
A
Ipulse(VDS=56V,tp=10 ms)
8.7
A
D²PAK
Drain Pin 2, Tab
Gate Pin 1
Source Pin 3
Type/OrderingCode IPB110N20N3LF
Package PG-TO 263-3
Marking 110N20LF
RelatedLinks -
1) J-STD20 and JESD22
Final Data Sheet
1
Rev.2.1,2017-02-16
OptiMOSTM3LinearFET,200V
IPB110N20N3LF
TableofContents
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Thermal characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 Electrical characteristics diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 Package Outlines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11 Trademarks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11 Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Final Data Sheet
2
Rev.2.1,2017-02-16
OptiMOSTM3LinearFET,200V
IPB110N20N3LF
1Maximumratings
atTA=25°C,unlessotherwisespecified
Table2Maximumratings
Parameter
Symbol
Continuous drain current
Pulsed drain current2) Avalanche energy, single pulse3) Gate source voltage Power dissipation
Operating and storage temperature
ID
ID,pulse EAS VGS Ptot Tj,Tstg
Min. -20 -
-55
Values
Typ. Max.
-
88
-
61
-
11
-
352
-
560
-
20
-
250
-
150
Unit Note/TestCondition
VGS=10V,TC=25°C A VGS=10V,TC=100°C
VGS=10V,TC=25°C,RthJA=40K/W1)
A TC=25°C
mJ ID=80A,RGS=25Ω
V-
W TC=25°C
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1: 55/150/56
2Thermalcharacteristics
Table3Thermalcharacteristics
.