RD3G400GN

RD3G400GN 　　Nch 40V 40A Power MOSFET 　　 Datasheet lOutline VDSS 40V 　 RDS(on)(Max.) 7.5mΩ DPAK ID ±40A TO-252 PD 26W 　 　　　　　　 lFeatures 1) Low on - resistance 2) High power package (TO-252) 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 4) Halogen free lInner circuit lPackaging specifications Packing Reel size (mm) lApplication Switching Type Tape width (mm) Basic ordering unit (pcs) Taping code Marking lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C ,unless otherwise specified) Parameter Symbol Value Drain - Source voltage Continuous drain current Pulsed drain current Gate - Source voltage Avalanche current, single pulse Avalanche energy, single pulse Power dissipation Junction temperature Operating junction and storage temperature range VDSS ID*1 IDP*2 VGSS IAS*3 EAS*3 PD*1 Tj Tstg 40 ±40 ±80 ±20 20 3.1 26 150 -55 to +150 Embossed Tape 330 16 2500 TL RD3G400GN Unit V A A V A mJ W ℃ ℃ 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2017 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/11 20170824 - Rev.002 　 　 RD3G400GN 　 　 　 　　 　 lThermal resistance Parameter Thermal resistance, junction - case 　 　 　 　 　 　 　 　 Datasheet 　 　 　　　　　　　　　　　　　　　　 Symbol RthJC*1 Values Unit Min. Typ. Max. - - 4.8 ℃/W lElectrical characteristics (Ta = 25°C) Parameter Symbol Conditions Drain - Source breakdown voltage V(BR)DSS VGS = 0V, ID = 1mA Breakdown voltage temperature coefficient 　ΔV(BR)DSS　 ID = 1mA 　　 ΔTj 　 　 ...