RD3H045SP

RD3H045SP 　　Pch -45V -4.5A Power MOSFET 　　 Datasheet lOutline VDSS -45V 　 RDS(on)(Max.) 155mΩ DPAK ID ±4.5A TO-252 PD 15W 　 　　　　　　 lFeatures 1) Low on - resistance 2) Fast switching speed 3) Drive circuits can be simple 4) Parallel use is easy 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lInner circuit lPackaging specifications Packing Embossed Tape Reel size (mm) 330 lApplication Switching Tape width (mm) Type Basic ordering unit (pcs) 16 2500 TL Taping code TL1 Marking lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C ,unless otherwise specified) RD3H045SP Parameter Symbol Value Unit Drain - Source voltage VDSS -45 V Continuous drain current ID*1 ±4.5 A Pulsed drain current IDP*2 ±9.0 A Gate - Source voltage VGSS ±20 V Power dissipation PD*3 15 W Junction temperature Tj 150 ℃ Operating junction and storage temperature range Tstg -55 to +150 ℃ 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/12 20180608 - Rev.004 　 　 RD3H045SP 　 　 　 　　 　 lThermal resistance Parameter Thermal resistance, junction - case 　 　 　 　 　 　 　 　 Datasheet 　 　 　　　　　　　　　　　　　　　　 Symbol RthJC*3 Values Unit Min. Typ. Max. - - 8.33 ℃/W lElectrical characteristics (Ta = 25°C) Parameter Symbol Conditions Drain - Source breakdown voltage V(BR)DSS VGS = 0V, ID = -1mA Breakdown voltage temperature coeffici...