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FF900R12ME7_B11
EconoDUAL™3ModulmitTRENCHSTOP™IGBT7undEmitterControlled7DiodeundNTC EconoDUAL™3modulewithTRENCHSTOP™IGBT7andEmitterControlled7diodeandNTC
PotentielleAnwendungen • Hochleistungsumrichter • Hybrid-Nutzfahrzeuge • Motorantriebe • Servoumrichter • USV-Systeme
ElektrischeEigenschaften • IntegrierterTemperatursensor • TrenchstopTMIGBT7 • VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten
MechanischeEigenschaften • HoheLeistungsdichte • IsolierteBodenplatte • PressFITVerbindungstechnik • Standardgehäuse
VCES = 1200V IC nom = 900A / ICRM = 1800A
PotentialApplications • Highpowerconverters • CommercialAgricultureVehicles • Motordrives • Servodrives • UPSsystems
ElectricalFeatures • Integratedtemperaturesensor • TrenchstopTMIGBT7 • VCEsatwithpositivetemperaturecoefficient
MechanicalFeatures • Highpowerdensity • Isolatedbaseplate • PressFITcontacttechnology • Standardhousing
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek)
Digit 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23
Datasheet www.infineon.com
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V3.0 2019-12-20
FF900R12ME7_B11
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 90°C, Tvj max = 175°C
ICDC
900
A
GrenzeffektivstromderModulDC-Kontakte MaximumRMSmoduleDC-terminalcurrent
TTerminal ≤ 90°C, TC = 90°C TTerminal ≤ 105°C, TC = 90°C
ITRMS
580 565
A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
1800
A
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage
IC = 900 A VGE = 15 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C
Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage
IC = 18,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung Gatecharge
VGE = -15 / 15 V, VCE = 600 V
InternerGatewiderstand Internalgateresistor
Tvj = 25°C
Eingangskapazität Inputcapacitance
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 900 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGon = 0,51 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C
Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload
IC = 900 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGon = 0,51 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 900 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 0,51 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C
Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload
IC = 900 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 0,51 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C
EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse
IC = 900 A, VCE = 600 V, Lσ = 25 nH di/dt = 6200 A/µs (Tvj = 175°C)
VGE = -15 / 15 V, RGon = 0,51 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C
AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse
IC = 900 A, VCE = 600 V, Lσ = 25 nH du/dt = 3000 V/µs (Tvj = 175°C)
VGE = -15 / 15 V, RGoff = 0,51 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C
Kurzschlußverhalten SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
tP ≤ 8 µs, Tvj = 150°C tP ≤ 6 µs, Tvj = 175°C
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions
min. typ. max.
VCE sat
1,50 1,80 V
1,65
V
1,75
V
VGEth 5,15 5,80 6,45 V
QG
14,3
µC
RGint
0,5
Ω
Cies
122
nF
Cres
0,72
nF
ICES
0,1 mA
IGES td on
tr td off
tf
Eon Eoff ISC RthJC
100 nA
0,41
µs
0,46
µs
0,49
µs
0,10
µs
0,11
µs
0,12
µs
0,55
µs
0,63
µs
0,69
µs
0,11
µs
0,23
µs
0,33
µs
89,0
mJ
138
mJ
170
mJ
89,0
mJ
130
mJ
158
mJ
3200
A
3000
A
0,0452 K/W
RthCH
0,0269
K/W
Tvj op -40
175 °C
Datasheet
2
V3.0
2019-12-20
FF900R12ME7_B11
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichs.