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Small-size mobile-power. TP4223 Datasheet

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Small-size mobile-power. TP4223 Datasheet






TP4223 mobile-power. Datasheet pdf. Equivalent




TP4223 mobile-power. Datasheet pdf. Equivalent





Part

TP4223

Description

Small-size mobile-power



Feature


.
Manufacture

TPOWER

Datasheet
Download TP4223 Datasheet


TPOWER TP4223

TP4223; .


TPOWER TP4223

.


TPOWER TP4223

.

Part

TP4223

Description

Small-size mobile-power



Feature


.
Manufacture

TPOWER

Datasheet
Download TP4223 Datasheet




 TP4223
概述
TP4223 是一款专为移动电源设计的单芯片解决方案,内部
集成了充电管理模块、放电管理模块、电量检测及 LED
示模块以及保护模块.
TP4223 内置充电和放电功率 MOS,充电电流可以设定,最
大充电电流和最大放电电流均为 1A.
TP4223 内部集成了恒温充电工作模式、过温保护、过充与
过放保护、输出过压保护、输出重载保护、输出短路保护
等几乎所有安全保护功能以保证芯片和锂离子电池的安
,同时 TP4223 应用电路简单,只需很少元件便可实现充电
管理与放电管理。
TP4223
带电量指示小体积移动电源方案
特点
充电放电状态指示以及 3 档电量指示
内置充电、放电功率 MOS
输入电压: 4.3V~5.5V
充电电流: 最大 1A
输出电流:最大 1A
输出电压: 5V
BAT 放电终止电压:2.9V
预设 4.2V/4.35V 充电电压,精度达±1%
放电效率:85%(输入 3.7V,输出 5V/1A
最大 8uA 待机电流
集成充电管理与放电管理
智能温度控制与过温保护
集成输出过压保护、短路保护、重载保护
集成过充与过放保护
支持涓流模式以及零电压充电
封装形式:ESOP8L
应用
移动电源
双灯典型应用电路
充电时 LED1 指示;放电时 LED2 指示。
Ver1.4
Shenzhen TPOWER Semiconductor
1




 TP4223
单灯典应应用电路
TP4223
带电量指示小体积移动电源方案
管脚
充电与放电时均为 LED1 指示。
ESOP8L
Ver1.4
Shenzhen TPOWER Semiconductor
2




 TP4223
TP4223
带电量指示小体积移动电源方案
管脚描述
管脚号
1
2
3
4
5
6
7
8
Exposed
PAD
管脚名称
BAT
SW
OUTN
LED1
LED2
ISET
OUTP
VDD
GND
描述
锂离子电池正极
升压电路功率 NMOS 漏端
输出电压负极
充电状态与电量指示端,外接指示 LED, 充电时,LED 有三种不同闪烁频率
分别对应 3 档电量,即 2HzVBAT3.6V)、1Hz3.6VVBAT3.9V),0.5Hz
3.9VVBAT4.2V),电池充饱后 LED 常亮
放电状态与电量指示端,外接指示 LED, 放电时,LED 有三种不同闪烁频率
分别对应 3 档电量,即 0.5Hz3.8VVBAT4.2V)、1Hz3.5VVBAT3.8V)、
2Hz2.9VVBAT3.5V),电池电压低于 2.9V LED 熄灭
充电电流设定端,外接一电阻到 GND 用于设定充电电流
升压输出正极端以及输出电压采样端
外部电源输入端
IC ,此散热片须与 PCB 有良好焊接
定购信息
封装
ESOP8L
定购型号
TP4223
包装形式
Tape and Reel
产品正印
TP4223
极限参数(注 1
参数
所有引脚电压
充电电流
放电电流
储存环境温度
工作结温范围
HBM
MM
推荐工作范围
额定值
-0.3~+6.5
1.2
1.2
-50~+150
-40~150
2000
200
单位
V
A
A
V
V
符号
VDD
IC
TOP
参数
充电输入电压
充电电流
工作环境温度
参数范围
4.5~5.5
1
-20~85
单位
V
A
1:最大极限值是指超出该工作范围芯片可能会损坏。推荐工作范围是指在该范围内芯片工作正常,但不完全保证满足
个别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电气参数规范。对
于未给定的上下限参数,该规范不予保证其精度,但其典型值合理反映了器件性能。
Ver1.4
Shenzhen TPOWER Semiconductor
3



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