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BAV18

Diotec Semiconductor

Silicon-Planar-Diodes

BAV 18 … BAV 21 Silicon-Planar-Diodes Silizium-Planar-Dioden Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage ...



BAV18

Diotec Semiconductor


Octopart Stock #: O-180498

Findchips Stock #: 180498-F

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Description
BAV 18 … BAV 21 Silicon-Planar-Diodes Silizium-Planar-Dioden Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Glass case Glasgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Dimensions / Maße in mm 250 mA 50…200 V DO-35 SOD-27 0.13 g see page 16 siehe Seite 16 Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Marking: One black ring denotes “cathode” and “ultrafast switching device” The type numbers are noted only on the lable on the reel Kennzeichnung: Ein schwarzer Ring kennzeichnet “Kathode” und “ultraschneller Gleichrichter” Die Typenbezeichnungen sind nur auf dem Rollenaufkleber vermerkt Maximum ratings Type Typ BAV 18 BAV 19 BAV 20 BAV 21 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 150 200 Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 60 120 200 250 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Max. power dissipation – Verlustleistung Peak forward surge current – Stoßstrom, t # 1 s Peak forward surge current – Stoßstrom, t = 1 :s 1 TA = 25/C f > 15 Hz TA = 25/C Tj = 25/C Tj = 25/C IFAV IFRM Ptot IFSM IFSM 250 mA 1) 650 mA 1) 500 mW 1) 1A 5A 36 ) Valid, if leads are kept at TA = 25/C at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 5 mm Abstand von Gehäuse auf TA = 25/C gehalten werden 01.10.2002 BAV 18 … BAV 21 Opera...




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