DAP801

DAN 801 / DAP 801 (200 mW) Small Signal Diode Arrays Dioden Sätze mit Allzweckdioden Nominal power dissipation Nenn-Verlustleistung Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 9 Pin-Plastic case 9 Pin-Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Dimensions / Maße in mm 200 mW 80 V 24 x 3.5 x 6.6 [mm] 0.6 g see page 22 s. Seite 22 Standard packaging: bulk Standard Lieferform: lose im Karton "DAP": common anodes / gemeinsame Anoden "DAN": common cathodes / gemeinsame Kathoden Maximum ratings Type Typ DAN 801 DAP 801 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 80 80 TA = 25/C Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 80 80 Max. average forward rectified current, R-load, for one diode operation only per diode for simultaneous operation Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last, für eine einzelne Diode pro Diode bei gleichzeitigem Betrieb Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle IFAV IFAV IFAV IFAV IFSM 100 mA 1) 25 mA 1) 100 mA 1) 25 mA 1) 500 mA TU = 25/C TA = 25/C 1 ) Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten 28.02.2002 364 DAN 801 / DAP 801 (200 mW) Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS – 50…+150/C – 50…+150/C Kennwerte Tj = 25/C Tj = 25/C IF = 10 mA VR = 20 V VF I...