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DA811K

Diotec Semiconductor

Rectifier Arrays

DA 811 A/K … DA 8110 A/K (1.2 W) Rectifier Arrays Nominal power dissipation Nenn-Verlustleistung 23±0.2 4.5 2.6 Gleichr...


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Description
DA 811 A/K … DA 8110 A/K (1.2 W) Rectifier Arrays Nominal power dissipation Nenn-Verlustleistung 23±0.2 4.5 2.6 Gleichrichter Sätze 1.2 W 100...1000 V Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 9 Pin-Plastic case 9 Pin-Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Standard packaging: bulk Standard Lieferform: lose im Karton 4.5 Ø 0.5 8 x 2.54 23 x 2.6 x 4.5 [mm] 0.6 g see page 22 s. Seite 22 Dimensions / Maße in mm "DA 811 A...8110 A": com. anodes / gem. Anoden "DA 811 K...8110 K" : com. cathodes / gem. Kathoden Maximum ratings Type Typ DA 811 A/K DA 814 A/K DA 8110 A/K Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 100 400 1000 TA = 25/C Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 120 480 1200 Max. average forward rectified current, R-load, for one diode operation only per diode for simultaneous operation Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last, für eine einzelne Diode pro Diode bei gleichzeitigem Betrieb Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle IFAV IFAV IFAV IFAV IFSM 600 mA 1) 150 mA 1) 600 mA 1) 150 mA 1) 30 A TU = 25/C TA = 25/C 1 ) Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten 28.02.2002 368 DA 811 A/K … DA 8110 A/K (1.2 W) Max. power dissipation – Verlustleistung Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storag...




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