F0118G Datasheet (data sheet) PDF





F0118G Datasheet, GaAs Infrared Emitting Diode

F0118G   F0118G  

Search Keywords: F0118G, datasheet, pdf, OSRAM, GaAs, Infrared, Emitting, Diode, stock, pinout, distributor, price, schematic, inventory, databook, Electronic, Components, Parameters, parts, cross reference, chip, Semiconductor, circuit, Electric, manual, substitute, Equivalent

GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, Enhanced Power) GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, Enhanced Power) F 0118G Vorläufige Daten / Preliminary Data W esentliche Merkmale • Typ. Gesamtleis tung: 24 mW @ 100 mA im TOPLED® Gehäu se • Chipgröße 300 x 300 µm2 • E missionswellenlänge: 950 nm • GaAs-L ED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen St römen • Gleichstrom- oder Impulsbetr ieb möglich • Hohe Zuverlässigkeit • Hohe Impulsbelastbarkeit Anwendunge n • IR-Fernsteuerung von Fernseh-, Ru ndfunkund Videogeräten, Lichtdimmern Gerätefernsteuerungen für Gleich- und Wechsellichtbetrieb • Lichtschranken bis 500 kHz • Sens

F0118G Datasheet, GaAs Infrared Emitting Diode

F0118G   F0118G  
orik I Features • Typ. total radiant power: 24 mW @ 100 mA in TOPLED® packa ge. • Chip size 300 x 300 µm2 • Pe ak wavelength: 950 nm • Very highly e fficient GaAs LED • Good linearity (I e = f [IF]) at high currents • DC or pulsed operations are possible • High reliability • High pulse handling ca pability Applications • IR remote con trol for hifi and TV sets, video tape r ecorder, dimmers • Remote control for steady and varying intensity • Light -reflection switches (max. 500 kHz) • Sensor technology Typ Type F 0118G B estellnummer Ordering Code Q65110A0136 Beschreibung Description Infrarot emit tierender Chip, Oberseite Anodenanschlu ß, Infrared emitting die, top side ano de connection 2003-04-10 1 F 0118G E lektrische Werte (TA = 25 °C) Electric al values1) (TA = 25 °C) Bezeichnung P arameter Emissionswellenlänge Peak wav elength IF = 10 mA Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax, Spectral bandwidth a t 50% of Imax IF = 10 mA Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90% auf 10%, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10% to 90% and from 90% to 10%, IF = 100 mA, RL = 50 Ω Sperr spannung Reverse voltage I R = 1µ A Du rchlaβspannung Forward voltage IF = 10 0 mA Strahlungsleistung Radiant Power3) IF = 100 mA Photostrom (Spezifikationsparameter Helligkeit) Photocurrent (specified pa








@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site (Privacy Policy & Contact)