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F0118G

GaAs Infrared Emitting Diode

Description

GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, Enhanced Power) GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, Enhanced Power) F 0118G Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Typ. Gesamtleistung: 24 mW @ 100 mA im TOPLED® Gehäuse Chipgröße 300 x 300 µm2 Emissionswellenlänge: 950 nm GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gute Linearität (Ie = f [IF])...

OSRAM

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