F0118J

GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, 300 µm Kantenlänge) GaAs Infrared Emitting Diode(950 nm, 12 mil) F 0118J Vorläufige Daten / Preliminary data Wesentliche Merkmale Typ. Gesamtleistung: 22 mW @ 100 mA im Topled® Gehäuse. Chipgröße 300 x 300 µm2 GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Vorderseitenmetallisierung: Aluminium Rückseitenmetallisierung: Goldlegierung Anwendungen IR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunkund Videogeräten, Lichtdimmern Gerätefernsteuerungen für Gleich- und Wechsellichtbetrieb Lichtschranken bis 500 kHz Sensorik I Features Typ. total radiant power: 22 mW @ 100 mA in Topled® package. Chip size 300 x 300 µm2 Very highly efficient GaAlAs LED High reliability High pulse handling capability Good spectral match to silicon photodetectors Frontside metallization: aluminum Backside metallization: gold alloy Applications IR remote control for hifi and TV sets, video tape recorder, dimmers Remote control for steady and varying intensity Light-reflection switches (max. 500 kHz) Sensor technology Typ Type F 0118J Bestellnummer Ordering Code Q67220-C1350 Beschreibung Description Infrarot emittierender Chip, Oberseite Anodenanschluss Rückseite AuGe Eutektikum Infrared emitting die, top side anode connection Backside AuGe eutectic alloy 2002-02-21 1 F 0118J Elektrische Werte (gemessen auf TO18-Bodenplatte ohne Verguss, TA = 25...