F0118J Datasheet (data sheet) PDF





F0118J Datasheet, GaAs Infrared Emitting Diode

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GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, 300 µm Kantenlänge) GaAs Infrared Emi tting Diode(950 nm, 12 mil) F 0118J Vo rläufige Daten / Preliminary data Wese ntliche Merkmale • Typ. Gesamtleistun g: 22 mW @ 100 mA im Topled® Gehäuse. • Chipgröße 300 x 300 µm2 • GaA lAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Hohe Impulsb elastbarkeit • Gute spektrale Anpassu ng an Si-Fotoempfänger • Vorderseite nmetallisierung: Aluminium Rückseitenm etallisierung: Goldlegierung Anwendunge n • IR-Fernsteuerung von Fernseh-, Ru ndfunkund Videogeräten, Lichtdimmern Gerätefernsteuerungen für Gleich- und Wechsellichtbetrieb • Lichtschranken bis 500 kHz • Se

F0118J Datasheet, GaAs Infrared Emitting Diode

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nsorik I Features • Typ. total radian t power: 22 mW @ 100 mA in Topled® pac kage. • Chip size 300 x 300 µm2 • Very highly efficient GaAlAs LED • Hi gh reliability • High pulse handling capability • Good spectral match to s ilicon photodetectors • Frontside met allization: aluminum Backside metalliza tion: gold alloy Applications • IR re mote control for hifi and TV sets, vide o tape recorder, dimmers • Remote con trol for steady and varying intensity Light-reflection switches (max. 500 kHz) • Sensor technology Typ Type F 0118J Bestellnummer Ordering Code Q672 20-C1350 Beschreibung Description Infr arot emittierender Chip, Oberseite Anod enanschluss Rückseite AuGe Eutektikum Infrared emitting die, top side anode c onnection Backside AuGe eutectic alloy 2002-02-21 1 F 0118J Elektrische Wer te (gemessen auf TO18-Bodenplatte ohne Verguss, TA = 25 °C) Electrical values (measured on TO18 header without resin , TA = 25 °C) Bezeichnung Parameter We llenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 10 mA Spektrale Band breite bei 50% von Imax, IF = 10 mA Spe ctral bandwidth at 50% of Imax Sperrspa nnung Reverse voltage IF = 10 µA Schal tzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90% auf 10%, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10% to 90% and from 90% to 10%, IF = 100 mA, RL = 50 Ω Du








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