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F0118J Dataheets PDF



Part Number F0118J
Manufacturers OSRAM
Logo OSRAM
Description GaAs Infrared Emitting Diode
Datasheet F0118J DatasheetF0118J Datasheet (PDF)

GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, 300 µm Kantenlänge) GaAs Infrared Emitting Diode(950 nm, 12 mil) F 0118J Vorläufige Daten / Preliminary data Wesentliche Merkmale • Typ. Gesamtleistung: 22 mW @ 100 mA im Topled® Gehäuse. • Chipgröße 300 x 300 µm2 • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Hohe Impulsbelastbarkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Vorderseitenmetallisierung: Aluminium Rückseitenmetallisierung: Goldlegierung Anwendungen • IR-Fernsteuer.

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F0118G F0118J TA8845AN


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