QSX7

QSX7 Complex Midium Power Transistor Parameter VCEO IC 　 Tr1 and Tr2 12V 1.5A 　 lFeatures 1)High current 2)Low saturation voltage 　 VCE(sat)≦200mV 　 at IC=500mA/IB=25mA lOutline SOT-457T 　 SC-95 　 　　 　　 TSMT6 　 　 　 　 　　　　　　　　 lInner circuit Datasheet lApplication LOW FREQUENCY AMPLIFIER lPackaging specifications Part No. Package Package size 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 Taping code Reel size Tape width (mm) (mm) Basic ordering unit.(pcs) Marking QSX7 SOT-457T 2928 TR 180 8 (TSMT6) 3000 X07 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2016 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/6 20160408 - Rev.001 QSX7 　 　　　　　　　　 lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C) Parameter Symbol Values Collector-base voltage VCBO 15 Collector-emitter voltage VCEO 12 Emitter-base voltage VEBO 6 Collector current Power dissipation IC ICP*1 PD*2 PD*3*4 1.5 3 0.5 1.25 Junction temperature Range of storage temperature Tj 150 Tstg -55 to +150 Datasheet Unit V V V A A W/Total W/Total ℃ ℃ lElectrical characteristics (Ta = 25°C) Parameter Symbol Conditions Values Min. Typ. Max. Collector-base breakdown voltage BVCBO IC = 10μA 15 - - Collector-emitter breakdown voltage BVCEO IC = 1mA 12 - - Emitter-base breakdown voltage BVEBO IE...