LD263

GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays LD 260 LD 262 ... LD 269 7.4 7.0 1.9 1.7 0.5 0.4 2.54 mm spacing 2.7 2.5 0.25 0.15 2.1 1.5 0.4 A GEO06367 A Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren q Hohe Zuverlässigkeit q Gehäusegleich mit BPX 80-Serie Features q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process q High reliability q Same package as BPX 80 series Applications q q q q Anwendungen q Miniaturlichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb q Lochstreifenleser q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln” Miniature photointerrupters Punched tape-readers Industrial electronics For control and drive circuits Semiconductor Group 1 1997-11-01 feo06367 1.4 1.0 Collector (BPX 83) Cathode (LD 263) fez06365 0.7 0.6 0 ... 5 3.5 3.0 3.6 3.2 Chip position LD 260 LD 262 ... LD 269 Typ Type LD 262 LD 263 LD 264 LD 265 LD 266 LD 267 LD 268 LD 269 LD 260 IRED Maß “A” Bestellnummer Gehäuse pro Zeile per Row Dimension “A” Ordering Code Package min. 2 3 4 5 6 7 8 9 10 4.5 7 9.6 12.1 14.6 17.2 19.7 22.3 24.8 max. 4.9 7.4 10 12.5 15 17.6 20.1 22.7 25.2 Q62703-Q70 Q62703-Q71 Q62703-Q72 Q62703-Q73 Q62703-Q74 Q62703-Q75 Q62703-Q76 Q62703-Q77 Q62703-Q78 Zeilenbauform, Leiterbandgehäuse, klares Epoxy-Gießharz, linsenförmig, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Kathodenkennzeichnung: Na...