GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
LD 271, LD 271 H LD 271 L, LD 271 HL
Area not flat 0.6 0.4 9.0 8.2 7.8 ...
Description
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
LD 271, LD 271 H LD 271 L, LD 271 HL
Area not flat 0.6 0.4 9.0 8.2 7.8 7.5
2.54 mm spacing
1.3 1.0
5.9 5.5
1.0 0.7
Cathode Approx. weight 0.5 g
Chip position
GEX06239
Cathode 29 27 9.0 8.2
spacing 2.54mm
0.4 0.8
1.8 1.2
7.8 7.5
5.9 5.5
0.4 0.6
Area not flat Chip position Approx. weight 0.2 g
4.8 4.2
ø4.8 ø5.1
0.6 0.4
GEO06645
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q GaAs-IR-LED, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren q Hohe Zuverlässigkeit q Hohe Impulsbelastbarkeit q Lange Anschlüsse q Gruppiert lieferbar q Gehäusegleich mit SFH 300, SFH 203 Anwendungen q IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern q Gerätefernsteuerungen q Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb Semiconductor Group 1
Features q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process q High reliability q High pulse handling capability q long leads q Available in groups q Same package as SFH 300, SFH 203 Applications q IR remote control of hi-fi and TV-sets, video tape recorders, dimmers q Remote control of various equipment q Photointerrupters
1997-11-01
fex06628
1.8 1.2 14.0 13.0
ø5.1 ø4.8
4.8 4.2 11.4 11.0
0.6 0.4
LD 271, LD 271 H LD 271 L, LD 271 HL
Typ Type LD 271 LD 271 L LD271 H LD271 HL Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description
Bestellnummer Ordering Code Q62703-Q148 Q62703-Q833 Q62...
Similar Datasheet