LD274

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Area not flat 0.6 0.4 2.54 mm spacing 0.8 0.4 9.0 8.2 7.8 7.5 ø5.1 ø4.8 5.9 5.5 Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Sehr enger Abstrahlwinkel q GaAs-IR-LED, hergestellt im q q q q Features q Extremely narrow half angle q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a q q q q Schmelzepitaxieverfahren Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gruppiert lieferbar Gehäusegleich mit SFH 484 liquid phase epitaxy process High reliability High pulse handling capability Available in groups Same package as SFH 484 Anwendungen q IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Applications q IR remote control of hi-fi and TV-sets, video Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern, Geräten Typ Type LD 274 LD 274-21) LD 274-3 1) 1) tape recorders, dimmers, of various equipment Gehäuse Package 5-mm-LED-Gehäuse (T 1 3/4), graugetöntes EpoxyGießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Kathodenkennzeichnung: Kürzerer Lötspieß, flat 5 mm LED package (T 1 3/4), grey colored epoxy resin lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking: shorter solder lead, flat Bestellnummer Ordering Code Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820 Nur auf Anfrage lieferbar. Available only on request. Semiconductor Group 1 1997-11-01 fex06260 1.8 1.2 29 27 Cathode (Diode) Collector (Transistor) 5.7 5.1 Chip position 0.6 0.4 GEX06260 LD 27...