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LPT80 Dataheets PDF



Part Number LPT80
Manufacturers Siemens Semiconductor
Logo Siemens Semiconductor
Description NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
Datasheet LPT80 DatasheetLPT80 Datasheet (PDF)

LPT 80 A NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor LPT 80 A 16.51 16.00 1.52 2.54mm spacing 5.84 5.59 1.52 1.29 1.14 4.57 4.32 2.54 2.03 2.34 2.08 Collector 1.52 Plastic marking 1.70 1.45 GEO06391 0.64 0.46 0.64 0.46 R = 0.76 feo06391 Approx. weight 0.2 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm q Sidelooker im Kunststoffgehäuse q Hoh.

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LPT 80 A NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor LPT 80 A 16.51 16.00 1.52 2.54mm spacing 5.84 5.59 1.52 1.29 1.14 4.57 4.32 2.54 2.03 2.34 2.08 Collector 1.52 Plastic marking 1.70 1.45 GEO06391 0.64 0.46 0.64 0.46 R = 0.76 feo06391 Approx. weight 0.2 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm q Sidelooker im Kunststoffgehäuse q Hohe Empfindlichkeit q Passend zu IRED IRL 80 A, IRL 81 A Anwendungen q Fertigungs- und Kontrollanwendungen der Industrie q Lichtschranken Typ Type LPT 80 A Bestellnummer Ordering Code Q68000-A7852 Gehäuse Package Features q Especially suitable for applications from 470 nm to 1080 nm q Sidelooker in plastic package q High sensitivity q Matches IR emitter IRL 80 A, IRL 81 A Applications q A variety of manufacturing and monitoring applications q Photointerrupters Klares Kunststoffgehäuse, Lötspieße im 2.54-mm-Raster (1/10”), Kollektorkennzeichnung: Längerer Lötspieß Clear plastic miniature package, 2.54 mm (1/10”) lead spacing, collector marking: long solder lead Semiconductor Group 1 1998-11-16 LPT 80 A Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, τ =10 µs Collector surge current Emitter-Kollektorspannung Emitter-collector voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Symbol Symbol Wert Value – 40 ... + 100 30 50 100 7 100 750 Einheit Unit °C V mA mA V mW K/W Top; Tstg VCE IC ICS VEC Ptot RthJA Semiconductor Group 2 1998-11-16 LPT 80 A Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S=10% von Smax Spectral range of sensitivity S=10% of Smax Abmessung der Chip-Fläche Dimensions of chip area Halbwinkel Half angle Kapaziät, VCE = 5 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance Dunkelstrom, VCE = 5 V Dark current Symbol Symbol λS max λ Wert Value 850 430 ... 1070 Einheit Unit nm nm LxB LxW ϕ 0.55 x 0.55 ± 35 3.3 3 (< 50) mm x mm Grad deg. pF nA CCE IR Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit mA Fotostrom Photocurrent Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V, IPCE λ = 950 nm Ev = 1000 lx, Normlicht/standard light A, VCE = 5 V IPCE Anstiegs- und Abfallzeit Rise and fall time RL = 1 kΩ, V = 5 V, λ=950 nm, IC = 1 mA Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC = IPCE min x 0.8, Ee = 0.5 mW/cm2 > 0.25 3.2 10 µs tr, tf VCEsat 150 mV Semiconductor Group 3 1998-11-16 LPT 80 A Relative spectral sensitivity Srel = f (λ) 100 OHF01420 Photocurrent IPCE = f (Ee) , VCE = 5 V Ι PCE 10 1 mA OHFD1422 Total power dissipation Ptot = f (TA) 125 OHR01425 S rel % 80 70 60 50 40 30 20 10 0 400 500 600 700 800 900 nm 1100 λ Ι F mA 100 10 0 L K J H 75 10 -1 50 10 -2 25 10 -3 -3 10 10 -2 10 -1 mW/cm 2 10 0 Ee 0 0 20 40 60 80 C 100 TA Photocurrent IPCE / IPCE25°= f (TA), VCE = 5 V Ι PCE 25 1.4 Dark current ICE0= f (TA), VCE = 5 V, E = 0 Ι CE0 10 4 nA 10 3 OHF00343 Capacitance CCE = f (VCE), f = 1 MHz, E = 0 CCE 8 pF 7 6 OHF00344 Ι PCE 1.6 OHF01524 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 -25 10 2 5 4 10 1 3 2 1 10 0 0 25 50 75 C 100 TA 10 -1 0 25 50 75 ˚C 100 TA 0 -2 10 10 -1 10 0 10 1 V 10 2 V CE Dark current ICE0= f (VCE), E = 0 ΙR 10 1 nA OHF00342 Directional characteristics Srel = f (ϕ) 40˚ 30˚ 20˚ ϕ 10˚ 0˚ 1.0 OHF00345 50˚ 0.8 10 0 60˚ 0.6 70˚ 10 -1 0.4 80˚ 90˚ 10 -2 0 10 20 30 V V CE 0.2 0 100˚ 1.0 0.8 0.6 0.4 0˚ 20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚ Semiconductor Group 4 1998-11-16 .


LPT4545 LPT80 LPT80A


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