LPT 80 A
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
LPT 80 A
16.51 16.00 1.52
2.54mm spacing
5.84 5.59 ...
LPT 80 A
NPN-Silizium-Foto
transistor Silicon
NPN Photo
transistor
LPT 80 A
16.51 16.00 1.52
2.54mm spacing
5.84 5.59 1.52
1.29 1.14
4.57 4.32
2.54 2.03
2.34 2.08
Collector
1.52 Plastic marking
1.70 1.45
GEO06391
0.64 0.46
0.64 0.46
R = 0.76
feo06391
Approx. weight 0.2 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm q Sidelooker im Kunststoffgehäuse q Hohe Empfindlichkeit q Passend zu IRED IRL 80 A, IRL 81 A Anwendungen q Fertigungs- und Kontrollanwendungen der Industrie q Lichtschranken Typ Type LPT 80 A Bestellnummer Ordering Code Q68000-A7852 Gehäuse Package
Features q Especially suitable for applications from 470 nm to 1080 nm q Sidelooker in plastic package q High sensitivity q Matches IR emitter IRL 80 A, IRL 81 A Applications q A variety of manufacturing and monitoring applications q Photointerrupters
Klares Kunststoffgehäuse, Lötspieße im 2.54-mm-Raster (1/10”), Kollektorkennzeichnung: Längerer Lötspieß Clear plastic miniature package, 2.54 mm (1/10”) lead spacing, collector marking: long solder lead
Semiconductor Group
1
1998-11-16
LPT 80 A
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, τ =10 µs Collector surge current Emitter-Kollektorspann...