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Symbol LED 5 mm × 2.5 mm, Partly Diffused
LR B480, LS B480, LY B480 LG B480
Besondere Merkmale
q q q q q q
eingefärbtes, teildiffuses Gehäuse als optischer Indikator in Frontplatte einsetzbar Lötspieße ohne Aufsetzebene Bargraphanzeige gegurtet lieferbar Störimpulsfest nach DIN 40839
VEX06719
Features
q q q q q q
colored, partly diffused package for use as optical indicator in frontpanel solder leads without stand-off Bargraph displays available taped on reel load dump resistance acc. to DIN 40839 Emissionsfarbe Color of Emission Gehäusefarbe Color of Package Lichtstärke Luminous Intensity IF = 10 mA IV (mcd) 0.16 0.25 0.40 0.25 0.63 1.60 2.50 1.60 0.63 1.60 2.50 4.00 1.60 0.63 1.60 2.50 1.60 … … … … 0.80 0.50 0.80 1.25 Bestellnummer Ordering Code
Typ Type
LR B480-BD LR B480-C LR B480-D LR B480-CE LS B480-EH LS B480-G LS B480-H LS B480-GK LY B480-EH LY B480-G LY B480-H LY B480-J LY B480-GK LG B480-EH LG B480-G LG B480-H LG B480-GK
red
red, partly diffused
Q62703-Q1464 Q62703-Q1465 Q62703-Q2648 Q62703-Q3841 Q62703-Q1466 Q62703-Q1467 Q62703-Q1468 Q62703-Q1469 Q62703-Q1470 Q62703-Q1471 Q62703-Q2006 Q62703-Q1473 Q62703-Q2007 Q62703-Q1477 Q62703-Q1870 Q62703-Q2025 Q62703-Q2026
super-red
red, partly diffused
… 5.00 … 3.20 … 5.00 … 12.50 … 5.00 … 3.20 … 5.00 … 8.00 … 12.50 … 5.00 … 3.20 … 5.00 … 12.50
yellow
yellow, partly diffused
green
green, partly diffused
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0. Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0. Semiconductor Group 1 11.96
LR B480, LS B480, LY B480 LG B480
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebstemperatur Operating temperature range Lagertemperatur Storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung Power dissipation TA ≤ 25 ˚C Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Luft Junction / air Symbol Symbol LR Werte Values LS, LY, LG – 55 … + 100 – 55 … + 100 + 100 45 40 0.5 ˚C ˚C ˚C mA A Einheit Unit
Top Tstg Tj IF IFM
VR Ptot
100
5 140
V mW
Rth JA
400
K/W
Semiconductor Group
2
LR B480, LS B480, LY B480 LG B480
Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 20 mA Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 20 mA Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max Spectral bandwidth at 50 % Irel max IF = 20 mA Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % IV Durchlaßspannung Forward voltage IF = 10 mA Sperrstrom Reverse current VR = 5 V Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 % IV from 90 % to 10 % IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω Symbol Symbol LR (typ.) λpeak (typ.) (typ.) λdom (typ.) (typ.) ∆λ (typ.) 2ϕ (typ.) VF (max.) VF (typ.) IR (max.) IR (typ.) C0 660 Werte Values LS 635 LY 586 LG 565 nm Einheit Unit
645
628
590
570
nm
35
45
45
25
nm
100 1.6 2.0
100 2.0 2.6
100 2.0 2.6
100 2.0 2.6
Grad deg. V V
0.01 0.01 0.01 0.01 µA 10 10 10 10 µA 25 12 10 15 pF
(typ.) tr (typ.) tf
120 50
300 150
300 150
450 200
ns ns
Semiconductor Group
3
LR B480, LS B480, LY B480 LG B480
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 20 mA Relative spectral emission V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic
Semiconductor Group
4
LR B480, LS B480, LY B480 LG B480
Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 ˚C
Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 ˚C
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C LS, LY, LG
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C LR
Semiconductor Group
5
LR B480, LS B480, LY B480 LG B480
Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA)
Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA) Wavelength at peak emission IF = 20 mA
Dominantwellenlänge λdom = f (TA) Dominant wavelength IF = 20 mA
Durchlaßspannung VF = f (TA) Forward voltage IF = 10 mA
Semiconductor Group
6
LR B480, LS B480, LY B480 LG B480
Relative Lichtstärke IV/IV(25 °C) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 10 mA
Maßzeichnung Package Outlines
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennzeichnung: Cathode mark:
Kürzerer Lötspieß Short solder lead
Semiconductor Group
7
GEX06719
.