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LRB480 Dataheets PDF



Part Number LRB480
Manufacturers Siemens Semiconductor
Logo Siemens Semiconductor
Description Symbol LED 5 mm x 2.5 mm / Partly Diffused
Datasheet LRB480 DatasheetLRB480 Datasheet (PDF)

Symbol LED 5 mm × 2.5 mm, Partly Diffused LR B480, LS B480, LY B480 LG B480 Besondere Merkmale q q q q q q eingefärbtes, teildiffuses Gehäuse als optischer Indikator in Frontplatte einsetzbar Lötspieße ohne Aufsetzebene Bargraphanzeige gegurtet lieferbar Störimpulsfest nach DIN 40839 VEX06719 Features q q q q q q colored, partly diffused package for use as optical indicator in frontpanel solder leads without stand-off Bargraph displays available taped on reel load dump resistance acc. to DI.

  LRB480   LRB480


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Symbol LED 5 mm × 2.5 mm, Partly Diffused LR B480, LS B480, LY B480 LG B480 Besondere Merkmale q q q q q q eingefärbtes, teildiffuses Gehäuse als optischer Indikator in Frontplatte einsetzbar Lötspieße ohne Aufsetzebene Bargraphanzeige gegurtet lieferbar Störimpulsfest nach DIN 40839 VEX06719 Features q q q q q q colored, partly diffused package for use as optical indicator in frontpanel solder leads without stand-off Bargraph displays available taped on reel load dump resistance acc. to DIN 40839 Emissionsfarbe Color of Emission Gehäusefarbe Color of Package Lichtstärke Luminous Intensity IF = 10 mA IV (mcd) 0.16 0.25 0.40 0.25 0.63 1.60 2.50 1.60 0.63 1.60 2.50 4.00 1.60 0.63 1.60 2.50 1.60 … … … … 0.80 0.50 0.80 1.25 Bestellnummer Ordering Code Typ Type LR B480-BD LR B480-C LR B480-D LR B480-CE LS B480-EH LS B480-G LS B480-H LS B480-GK LY B480-EH LY B480-G LY B480-H LY B480-J LY B480-GK LG B480-EH LG B480-G LG B480-H LG B480-GK red red, partly diffused Q62703-Q1464 Q62703-Q1465 Q62703-Q2648 Q62703-Q3841 Q62703-Q1466 Q62703-Q1467 Q62703-Q1468 Q62703-Q1469 Q62703-Q1470 Q62703-Q1471 Q62703-Q2006 Q62703-Q1473 Q62703-Q2007 Q62703-Q1477 Q62703-Q1870 Q62703-Q2025 Q62703-Q2026 super-red red, partly diffused … 5.00 … 3.20 … 5.00 … 12.50 … 5.00 … 3.20 … 5.00 … 8.00 … 12.50 … 5.00 … 3.20 … 5.00 … 12.50 yellow yellow, partly diffused green green, partly diffused Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0. Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0. Semiconductor Group 1 11.96 LR B480, LS B480, LY B480 LG B480 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebstemperatur Operating temperature range Lagertemperatur Storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung Power dissipation TA ≤ 25 ˚C Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Luft Junction / air Symbol Symbol LR Werte Values LS, LY, LG – 55 … + 100 – 55 … + 100 + 100 45 40 0.5 ˚C ˚C ˚C mA A Einheit Unit Top Tstg Tj IF IFM VR Ptot 100 5 140 V mW Rth JA 400 K/W Semiconductor Group 2 LR B480, LS B480, LY B480 LG B480 Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 20 mA Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 20 mA Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max Spectral bandwidth at 50 % Irel max IF = 20 mA Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % IV Durchlaßspannung Forward voltage IF = 10 mA Sperrstrom Reverse current VR = 5 V Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 % IV from 90 % to 10 % IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω Symbol Symbol LR (typ.) λpeak (typ.) (typ.) λdom (typ.) (typ.) ∆λ (typ.) 2ϕ (typ.) VF (max.) VF (typ.) IR (max.) IR (typ.) C0 660 Werte Values LS 635 LY 586 LG 565 nm Einheit Unit 645 628 590 570 nm 35 45 45 25 nm 100 1.6 2.0 100 2.0 2.6 100 2.0 2.6 100 2.0 2.6 Grad deg. V V 0.01 0.01 0.01 0.01 µA 10 10 10 10 µA 25 12 10 15 pF (typ.) tr (typ.) tf 120 50 300 150 300 150 450 200 ns ns Semiconductor Group 3 LR B480, LS B480, LY B480 LG B480 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 20 mA Relative spectral emission V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic Semiconductor Group 4 LR B480, LS B480, LY B480 LG B480 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 ˚C Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 ˚C Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C LS, LY, LG Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C LR Semiconductor Group 5 LR B480, LS B480, LY B480 LG B480 Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA) Wavelength at peak emission IF = 20 mA Dominantwellenlänge λdom = f (TA) Dominant wavelength IF = 20 mA Durchlaßspannung VF = f (TA) Forward voltage IF = 10 mA Semiconductor Group 6 LR B480, LS B480, LY B480 LG B480 Relative Lichtstärke IV/IV(25 °C) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 10 mA Maßzeichnung Package Outlines (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) Kathodenkennzeichnung: Cathode mark: Kürzerer Lötspieß Short solder lead Semiconductor Group 7 GEX06719 .


LR8N8 LRB480 LRH380


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