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MC-4516CB647XFA Dataheets PDF



Part Number MC-4516CB647XFA
Manufacturers Elpida Memory
Logo Elpida Memory
Description 16M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE
Datasheet MC-4516CB647XFA DatasheetMC-4516CB647XFA Datasheet (PDF)

DATA SHEET MOS INTEGRATED CIRCUIT MC-4516CB647XFA 16M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE UNBUFFERED TYPE Description The MC-4516CB647XFA is 16,777,216 words by 64 bits synchronous dynamic RAM module on which 8 pieces of 128M SDRAM: µPD45128841 are assembled. This module provides high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surfacemounting technology on the printed circuit board. Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise r.

  MC-4516CB647XFA   MC-4516CB647XFA



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DATA SHEET MOS INTEGRATED CIRCUIT MC-4516CB647XFA 16M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE UNBUFFERED TYPE Description The MC-4516CB647XFA is 16,777,216 words by 64 bits synchronous dynamic RAM module on which 8 pieces of 128M SDRAM: µPD45128841 are assembled. This module provides high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surfacemounting technology on the printed circuit board. Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise reduction. Features • 16,777,216 words by 64 bits organization • Clock frequency and access time from CLK Part number /CAS latency Clock frequency (MAX.) MC-4516CB647XFA-A75 CL = 3 CL = 2 133 MHz 100 MHz Access time from CLK (MAX.) 5.4 ns 6.0 ns • Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals referenced to a positive clock edge • Pulsed interface • Possible to assert random column address in every cycle • Quad internal banks controlled by BA0 and BA1 (Bank Select) • Programmable burst-length (1, 2, 4, 8 and full page) • Programmable wrap sequence (sequential / interleave) • Programmable /CAS latency (2, 3) • Automatic precharge and controlled precharge • CBR (Auto) refresh and self refresh • All DQs have 10 Ω ±10 % of series resistor • Single 3.3 V ± 0.3 V power supply • LVTTL compatible • 4,096 refresh cycles/64 ms • Burst termination by Burst Stop command and Precharge command • 168-pin dual in-line memory module (Pin pitch = 1.27 mm) • Unbuffered type • Serial PD The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please confirm that this is the latest version. Not all devices/types available in every country. Please check with local Elpida Memory, Inc. for availability and additional information. Document No. E0232N20 (Ver 2.0) Date Published June 2002 (K) Japan URL: http://www.elpida.com Elpida Memory, Inc. 2001-2002 Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd. MC-4516CB647XFA Ordering Information Part number Clock frequency (MAX.) MC-4516CB647XFA-A75 133 MHz 168-pin Dual In-line Memory Module 8 pieces of µPD45128841G5 (Rev. X) (Socket Type) Edge connector : Gold plated 34.93 mm height (10.16 mm (400) TSOP (II)) Package Mounted devices 2 Data Sheet E0232N20 (Ver. 2.0) MC-4516CB647XFA Pin Configuration 168-pin Dual In-line Memory Module Socket Type (Edge connector: Gold plated) 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 VSS DQ32 DQ33 DQ34 DQ35 Vcc DQ36 DQ37 DQ38 DQ39 DQ40 VSS DQ41 DQ42 DQ43 DQ44 DQ45 Vcc DQ46 DQ47 NC NC VSS NC NC Vcc /CAS DQMB4 DQMB5 NC /RAS VSS A1 A3 A5 A7 A9 BA0 (A13) A11 Vcc CLK1 NC VSS CKE0 NC DQMB6 DQMB7 NC Vcc NC NC NC NC VSS DQ48 DQ49 DQ50 DQ51 Vcc DQ52 NC NC NC VSS DQ53 DQ54 DQ55 VSS DQ56 DQ57 DQ58 DQ59 Vcc DQ60 DQ61 DQ62 DQ63 VSS CLK3 NC SA0 SA1 SA2 Vcc VSS DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 Vcc DQ4 DQ5 DQ6 DQ7 DQ8 VSS DQ9 DQ10 DQ11 DQ12 DQ13 Vcc DQ14 DQ15 NC NC VSS NC NC Vcc /WE DQMB0 DQMB1 /CS0 NC VSS A0 A2 A4 A6 A8 A10 BA1 (A12) Vcc Vcc CLK0 VSS NC /CS2 DQMB2 DQMB3 NC Vcc NC NC NC NC VSS DQ16 DQ17 DQ18 DQ19 Vcc DQ20 NC NC NC VSS DQ21 DQ22 DQ23 VSS DQ24 DQ25 DQ26 DQ27 Vcc DQ28 DQ29 DQ30 DQ31 VSS CLK2 NC NC SDA SCL Vcc 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 /xxx indicates active low signal. A0 - A11 : Address Inputs [Row: A0 - A11, Column: A0 - A9] BA0 (A13), BA1 (A12) : SDRAM Bank Select DQ0 - DQ63 CLK0 - CLK3 CKE0 /CS0, /CS2 /RAS /CAS /WE DQMB0 - DQMB7 SA0 - SA2 SDA SCL VCC VSS NC : Data Inputs/Outputs : Clock Input : Clock Enable Input : Chip Select Input : Row Address Strobe : Column Address Strobe : Write Enable : DQ Mask Enable : Address Input for EEPROM : Serial Data I/O for PD : Clock Input for PD : Power Supply : Ground : No Connection Data Sheet E0232N20 (Ver. 2.0) 3 MC-4516CB647XFA Block Diagram /WE /CS0 DQMB0 /CS2 DQMB2 DQ 0 DQ 1 DQ 2 DQ 3 DQ 4 DQ 5 DQ 6 DQ 7 DQMB1 DQ 7 DQM /CS DQ 6 DQ 5 DQ 4 D0 DQ 3 DQ 2 DQ 1 DQ 0 /WE DQ 16 DQ 17 DQ 18 DQ 19 DQ 20 DQ 21 DQ 22 DQ 23 DQMB3 DQ 7 DQM /CS DQ 6 DQ 5 DQ 4 D2 DQ 3 DQ 2 DQ 1 DQ 0 /WE DQ 8 DQ 9 DQ 10 DQ 11 DQ 12 DQ 13 DQ 14 DQ 15 DQMB4 DQ 7 DQM /CS DQ 6 DQ 5 DQ 4 D1 DQ 3 DQ 2 DQ 1 DQ 0 /WE DQ 24 DQ 25 DQ 26 DQ 27 DQ 28 DQ 29 DQ 30 DQ 31 DQMB6 DQ 4 DQM /CS DQ 7 DQ 6 DQ 5 D3 DQ 3 DQ 2 DQ 1 DQ 0 /WE DQ 32 DQ 33 DQ 34 DQ 35 DQ 36 DQ 37 DQ 38 DQ 39 DQMB5 DQ 4 DQM /CS DQ 7 DQ 6 DQ 5 D4 DQ 3 DQ 2 DQ 1 DQ 0 /WE DQ 48 DQ 49 DQ 50 DQ 51 DQ 52 DQ 53 DQ 54 DQ 55 DQMB7 DQ 7 DQM /CS DQ 6 DQ 5 DQ 4 D6 DQ 3 DQ 2 DQ 1 DQ 0 /WE DQ 40 DQ 41 DQ 42 DQ 43 DQ 44 DQ 45 DQ 46 D.


MC-4516CB647 MC-4516CB647XFA MC-4516CB64ES


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