MJE253

www.DataSheet4U.com MJE243 − NPN, MJE253 − PNP Preferred Device Complementary Silicon Power Plastic Transistors These devices are designed for low power audio amplifier and low−current, high−speed switching applications. Features http://onsemi.com High Collector−Emitter Sustaining Voltage − High DC Current Gain @ IC = 200 mAdc hFE = 40−200 = 40−120 Low Collector−Emitter Saturation Voltage − VCE(sat) = 0.3 Vdc (Max) @ IC = 500 mAdc High Current Gain Bandwidth Product − fT = 40 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc Annular Construction for Low Leakages ICBO = 100 nAdc (Max) @ Rated VCB Pb−Free Packages are Available* VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) 4.0 AMPERES POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 100 VOLTS, 15 WATTS TO−225 CASE 77 STYLE 1 3 2 1 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ Rating Symbol VCEO VCB VEB IC IB Value 100 100 7.0 4.0 8.0 10 Unit Vdc Vdc Vdc Adc Adc Collector−Emitter Voltage Collector−Base Voltage Emitter−Base Voltage Collector Current Base Current − Continuous − Peak Total Power Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C Total Power Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C Operating and Storage Junction Temperature Range PD PD 15 0.12 W...