DatasheetsPDF.com

MJE800 Dataheets PDF



Part Number MJE800
Manufacturers ON
Logo ON
Description DARLINGTON POWER TRANSISTORS
Datasheet MJE800 DatasheetMJE800 Datasheet (PDF)

www.DataSheet4U.com MJE700, MJE702, MJE703 (PNP) − MJE800, MJE802, MJE803 (NPN) Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors These devices are designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications. Features http://onsemi.com • High DC Current Gain − hFE = 2000 (Typ) @ IC • • • = 2.0 Adc Monolithic Construction with Built−in Base−Emitter Resistors to Limit Leakage − Multiplication Choice of Packages − MJE700 and MJE800 Series Pb−Free Packages are Available* .

  MJE800   MJE800


Document
www.DataSheet4U.com MJE700, MJE702, MJE703 (PNP) − MJE800, MJE802, MJE803 (NPN) Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors These devices are designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications. Features http://onsemi.com • High DC Current Gain − hFE = 2000 (Typ) @ IC • • • = 2.0 Adc Monolithic Construction with Built−in Base−Emitter Resistors to Limit Leakage − Multiplication Choice of Packages − MJE700 and MJE800 Series Pb−Free Packages are Available* 4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ Rating Symbol VCEO Value 60 80 60 80 Unit Vdc Collector−Emitter Voltage MJE700, MJE800 MJE702, MJE703, MJE802, MJE803 Collector−Base Voltage MJE700, MJE800 MJE702, MJE703, MJE802, MJE803 Emitter−Base Voltage Collector Current Base Current VCB Vdc VEB IC IB 5.0 4.0 0.1 Vdc Adc Adc Total Power Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C Operating and Storage Junction Temperature Range PD 40 0.32 W mW/_C _C TJ, Tstg –55 to +150 MAXIMUM RATINGS TO−225 CASE 77 STYLE 1 3 2 1 MARKING DIAGRAM YWW JEx0yG THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol qJC Max Unit Thermal Resistance, Junction−to−Case 6.25 _C/W Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and reliability may be affected. Y = Year WW = Work Week JEx0y = Device Code x = 7 or 8 y = 0, 2, or 3 G = Pb−Free Package ORDERING INFORMATION See detailed ordering and shipping information in the package dimensions section on page 5 of this data sheet. *For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D. © Semiconductor Components Industries, LLC, 2006 1 February, 2006 − Rev. 8 Publication Order Number: MJE700/D ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_C unless otherwise noted) Characteristic OFF CHARACTERISTICS Symbol Min Max Unit Collector−Emitter Breakdown Voltage (Note 1) MJE700, MJE800 (IC = 50 mAdc, IB = 0) MJE702, MJE703, MJE802, MJE803 Collector Cutoff Current (VCE = 60 Vdc, IB = 0) (VCE = 80 Vdc, IB = 0) MJE700, MJE800 MJE702, MJE703, MJE802, MJE803 V(BR)CEO ICEO 60 80 − − − − − − − Vdc mAdc 100 100 100 500 2.0 Collector Cutoff Current (VCB = Rated BVCEO, IE = 0) (VCB = Rated BVCEO, IE = 0, TC = 100_C) Emitter Cutoff Current (VBE = 5.0 Vdc, IC = 0) ICBO mAdc IEBO mAdc ON CHARACTERISTICS DC Current Gain (Note 1) (IC = 1.5 Adc, VCE = 3.0 Vdc) (IC = 2.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) (IC = 4.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) hFE − MJE700, MJE702, MJE800, MJE802 MJE703, MJE803 All devices 750 750 100 − − − − − − − − − Collector−Emitter Saturation Voltage (Note 1) (IC = 1.5 Adc, IB = 30 mAdc) MJE700, MJE702, MJE800, MJE802 (IC = 2.0 Adc, IB = 40 mAdc) MJE703, MJE803 (IC = 4.0 Adc, IB = 40 mAdc) All devices Base−Emitter On Voltage (Note 1) (IC = 1.5 Adc, VCE = 3.0 Vdc) (IC = 2.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) (IC = 4.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) MJE700, MJE702, MJE800, MJE802 MJE703, MJE803 All devices VCE(sat) Vdc 2.5 2.8 3.0 2.5 2.5 3.0 VBE(on) Vdc DYNAMIC CHARACTERISTICS Small−Signal Current Gain (IC = 1.5 Adc, VCE = 3.0 Vdc, f = 1.0 MHz) hfe 1.0 − − 1. Pulse Test: Pulse Width v 300 ms, Duty Cycle v 2.0%. 50 PD, POWE.


MJE800 MJE800 MJE800T


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site.
(Privacy Policy & Contact)