NTE2406

NTE2406 Silicon NPN Transistor General Purpose Amp, Surface Mount (Compl to NTE2407) Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75V Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mA Total Device Dissipation (FR–5 Board, Note 1), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 225mW Derate above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.8mW/°C Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (FR–5 Board, Note 1), RthJA . . . . . . . . . . . . . . 556°C/W Total Device Dissipation (Alumina Substrate, Note 2), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW Derate above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4mW/°C Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (Alumina Substrate, Note 2), RthJA . . . . . . . . 417°C/W Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . ...