NTE2932

NTE2932 MOSFET N−Channel, Enhancement Mode High Speed Switch TO3PML Type Package Features: D Avalanche Rugged Technology D Rugged Gate Oxide Technology D Lower Input Capacitance D Improved Gate Charge D Extended Safe Operating Area D Lower RDS(on): 0.0713 Typ D Lower Leakage Current: 105 A (Max) @ VDS = 200V D G S Absolute Maximum Ratings: Drain−to−Source Voltage, VDSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V Drain CCuornretinntu, oIDus PulsTTeCCd==(N++o21t50e50C15C). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21.3A 13.5A . 130A Total PDowerearteDiAsbsiopvaetio2n55(CTC. = .. +255C), ....... .P.D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90W 0.72W/5C Gate−Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +30V Single Pulsed Avalanche Energy (Note 2), EAS . . . . . . . . . . . ....