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300 Amp. NTE6354 Datasheet

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300 Amp. NTE6354 Datasheet
















NTE6354 Amp. Datasheet pdf. Equivalent













Part

NTE6354

Description

Silicon Power Rectifier Diode / 300 Amp



Feature


NTE6354 thru NTE6365 Silicon Power Recti fier Diode, 300 Amp Features: D Diffuse d Diode D High Voltage Ratings up to 16 00 Volts D High Surge Current Capabilit ies D Available in Anode–to–Case or Cathode–to–Case Style Ratings and Characteristics: Average Forward Curren t (TC = +130°C Max), IF(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300A M.
Manufacture

NTE Electronics

Datasheet
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NTE Electronics NTE6354

NTE6354; aximum Repetitive Peak Reverse Voltage, VRRM NTE6354, NTE6355* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V NTE6356, NTE6357 * . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600 V NTE6358, NTE6359* . . . . . . . . . . . . . . . . . . ..


NTE Electronics NTE6354

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000V NTE6362, NTE6363* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1400V NTE6364, NTE6365* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V Maxim um Non–Repetitive .


NTE Electronics NTE6354

Peak Reverse Voltage, VRSM NTE6354, NTE6 355* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V NTE6356, NTE6357* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 720V NTE6358, NTE6359 * . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ..





Part

NTE6354

Description

Silicon Power Rectifier Diode / 300 Amp



Feature


NTE6354 thru NTE6365 Silicon Power Recti fier Diode, 300 Amp Features: D Diffuse d Diode D High Voltage Ratings up to 16 00 Volts D High Surge Current Capabilit ies D Available in Anode–to–Case or Cathode–to–Case Style Ratings and Characteristics: Average Forward Curren t (TC = +130°C Max), IF(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300A M.
Manufacture

NTE Electronics

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 NTE6354
NTE6354 thru NTE6365
Silicon Power Rectifier Diode, 300 Amp
Features:
D Diffused Diode
D High Voltage Ratings up to 1600 Volts
D High Surge Current Capabilities
D Available in Anode–to–Case or Cathode–to–Case Style
Ratings and Characteristics:
Average Forward Current (TC = +130°C Max), IF(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300A
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage, VRRM
NTE6354, NTE6355* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
NTE6356, NTE6357* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
NTE6358, NTE6359* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000V
NTE6362, NTE6363* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1400V
NTE6364, NTE6365* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V
Maximum Non–Repetitive Peak Reverse Voltage, VRSM
NTE6354, NTE6355* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V
NTE6356, NTE6357* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 720V
NTE6358, NTE6359* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V
NTE6362, NTE6363* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1500V
NTE6364, NTE6365* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1700V
Maximum Repetitive Peak Reverse Current (TJ = +200°C), IRRM
NTE6354, NTE6355* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40mA
NTE6356, NTE6357* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40mA
NTE6358, NTE6359* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA
NTE6362, NTE6363* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA
NTE6364, NTE6365* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA
Maximum Forward Surge Current, IFSM
50Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5000A
60Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5200A
Fusing Current, I2t
50Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 214000A2s
60Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 195000A2s
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +180°C
* Indicated Anode–to–Case polarity, Cathode–to–Case polarity is standard.




 NTE6354
Electrical Specifications:
Parameter
Symbol
Test Conditions
Rating Unit
Maximum Average Forward Current
Maximum Peak OneCycle
NonRepetitive Surge Current
IF(AV)
IFSM
180° sinusoidal condition, TC = +130°C Max
t = 10ms
t = 8.3ms
No voltage
reapplied
300
5000
5200
A
A
A
Maximum I2t for Fusing
t = 10ms
t = 8.3ms
100% VRRM
reapplied
Sinusoidal half wave,
3800
4000
A
A
I2t t = 10ms No voltage Initial TJ = TJ max 214000 A2s
reapplied
t = 8.3ms
195000 A2s
Maximum I2t for Individual Device
Fusing
t = 10ms
t = 8.3ms
100% VRRM
reapplied
151000
138000
A2s
A2s
Maximum I2pt
I2pt t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied
2140000 A2pt
Maximum Value of Threshold
Voltage
VM (TO) TJ = +200°C
0.610 V
Maximum Value of Forward Slope
Resistance
rt TJ = +200°C
0.751 m
Thermal–Mechanical Specifications:
Parameter
Maximum Operation Junction Temperature
Maximum Storage Temperature
Maximum Internal Thermal Resistance
JunctiontoCase
Thermal Resistance, CasetoSink
Mounting Torque
Symbol
Test Conditions
TJ
Tstg
RthJC
DC operation
Rating
40 to + 180
55 to + 180
0.18
Unit
°C
°C
K/W
RthCS
T
Mounting surface flat, smooth and
greased
Nonlubricated threads
0.08
40.06
(360)
K/W
mN
(inlb)




 NTE6354
.755 (19.2) Max
3.250 (82.55)
Max
.828 (21.03) Max
1.250
(31.75)
Max
6.000 (152.4) Max
3/416 UNF2A
Seating Plane




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