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SFH203FA Dataheets PDF



Part Number SFH203FA
Manufacturers Siemens Semiconductor Group
Logo Siemens Semiconductor Group
Description PIN PHOTODIODE
Datasheet SFH203FA DatasheetSFH203FA Datasheet (PDF)

SFH 203 SFH 203 FA Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 203 SFH 203 FA Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm (SFH 203) und bei 880 nm (SFH 203 FA) q Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns) q 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse q Auch gegurtet lieferbar Anwendungen q Industrieelektronik q “Messen/S.

  SFH203FA   SFH203FA


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SFH 203 SFH 203 FA Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 203 SFH 203 FA Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm (SFH 203) und bei 880 nm (SFH 203 FA) q Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns) q 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse q Auch gegurtet lieferbar Anwendungen q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln” q Schnelle Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb q LWL Typ (*vorher) Type (*formerly) SFH 203 (*SFH 2030) SFH 203 FA (*SFH 2030 F) Bestellnummer Ordering Code Q62702-P955 Q62702-P956 Features q Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm (SFH 203) and of 880 nm (SFH 203 FA) q Short switching time (typ. 5 ns) q 5 mm LED plastic package q Also available on tape Applications q Industrial electronics q For control and drive circuits q Photointerrupters q Fiber optic transmission systems Semiconductor Group 1 03.96 feof6645 feo06645 SFH 203 SFH 203 FA Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t ≤ 3 s) Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung Total power dissipation Symbol Symbol Wert Value – 55 ... + 100 230 Einheit Unit °C °C Top; Tstg TS VR Ptot 50 100 V mW Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity VR = 5 V, Normlicht/standard light A, T = 2856 K, VR = 5 V, λ = 950 nm, Ee = 1 mW/cm2 Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface Symbol Symbol SFH 203 Wert Value SFH 203 FA Einheit Unit S S λS max λ 80 (≥ 50) – 850 – 50 (≥ 30) 900 nA/Ix µA nm nm 400 ... 1100 800 ... 1100 A L×B L×W H 1 1×1 1 1×1 mm2 mm × mm 4.0 ... 4.6 4.0 ... 4.6 mm Semiconductor Group 2 SFH 203 SFH 203 FA Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics (cont’d) Bezeichnung Description Halbwinkel Half angle Dunkelstrom, VR = 20 V Dark current Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm Spectral sensitivity Quantenausbeute, λ = 850 nm Quantum yield Leerlaufspannung Open-circuit voltage Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, λ = 950 nm Kurzschlußstrom Short-circuit current Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, λ = 950 nm Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL = 50 Ω; VR = 20 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA Durchlaßspannung, IF = 80 mA, E = 0 Forward voltage Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC Normlicht/standard light A λ = 950 nm Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 20 V, λ = 850 nm Nachweisgrenze, VR = 20 V, λ = 850 nm Detection limit Symbol Symbol SFH 203 ϕ ± 20 1 (≤ 5) 0.62 0.89 Wert Value SFH 203 FA ± 20 1 (≤ 5) 0.59 0.86 Grad deg. nA A/W Electrons Photon Einheit Unit IR Sλ η VO VO 420 (≥ 350) – – 370 (≥ 300) mV mV ISC ISC tr, tf 80 – 5 – 25 5 µA µA ns VF C0 TCV 1.3 11 – 2.6 1.3 11 – 2.6 V pF mV/K TCI NEP 0.18 – – 0.2 %/K W √Hz cm · √Hz W 2.9 × 10– 14 2.9 × 10– 14 D* 3.5 × 1012 3.5 × 1012 Semiconductor Group 3 SFH 203 SFH 203 FA Relative spectral sensitivity SFH 203 Srel = f (λ) Relative spectral sensitivity SFH 203 FA Srel = f (λ) Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V Open-circuit voltage VO = f (Ev) SFH 203 Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V Open-circuit-voltage VO= f (Ee) SFH 203 FA Total power dissipation Ptot = f (TA) Dark current IR = f (VR), E = 0 Directional characteristics Srel = f (ϕ) Semiconductor Group 4 .


SFH203FA SFH203FA SFH203P


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