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SFH 303 SFH 303 FA
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
SFH 303 SFH 303 FA
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Wesentliche Merkmale
q Speziell geeignet für Anwendungen im
Features
q Especially suitable for applications from
Bereich von 450 nm bis 1100 nm (SFH 303) und bei 880 nm (SFH 303 FA) q Hohe Linearität q 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse q Auch gegurtet und gruppiert lieferbar Anwendungen
q Lichtschranken für Gleich- und
450 nm to 1100 nm (SFH 303) and of 880 nm (SFH 303 FA) q High linearity q 5 mm LED plastic package q Also available on tape and in groups Applications
q Photointerrupters q Industrial electronics q For control and drive circuits
Wechsellichtbetrieb q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln”
Semiconductor Group
1
07.96
feof6351
feo06351
SFH 303 SFH 303 FA
Typ (*vorher) Type (*formerly) SFH 303 SFH 303-2 SFH 303-3 SFH 303-41)
1) 1)
Bestellnummer Ordering Code Q62702-P957 Q62702-P228 Q62702-P229 Q62702-P230
Typ (*vorher) Type (*formerly) SFH 303 FA (*SFH 303 F) SFH 303 FA-2) (*SFH 303 F) SFH 303 FA-3 (*SFH 303 F-3) SFH 303 FA-4 (*SFH 303 F-41))
Bestellnummer Type (*formerly) Q62702-P958 Q62702-P222 Q62702-P223 Q62702-P224
Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden. Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor. Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group.
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 3 s Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 3 s Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector surge current Emitter-Basisspannung Emitter-base voltage Symbol Symbol Wert Value – 55 ... + 100 260 Einheit Unit °C °C
Top; Tstg TS
TS
300
°C
VCE IC ICS VEB
50 50 100 7
V mA mA V
Semiconductor Group
2
SFH 303 SFH 303 FA
Grenzwerte Maximum Ratings (cont’d) Bezeichnung Description Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Symbol Symbol Wert Value 200 375 Einheit Unit mW K/W
Ptot RthJA
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip area Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseob.