GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
2.84 2.24
SFH 405
2.7 2.5
2.1 1.5 2.54 spacing Collector (SFH 305) Cath...
Description
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
2.84 2.24
SFH 405
2.7 2.5
2.1 1.5 2.54 spacing Collector (SFH 305) Cathode (SFH 405)
1.15 0.90
1)
0.5 0.4
Approx. weight 0.02 g
GEO06137
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren q Hohe Zuverlässigkeit q Hohe Strahlstärke q Hohe Impulsbelastbarkeit q Gruppiert lieferbar q Gehäusegleich mit SFH 305 Anwendungen
q Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Features q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process q High reliability q High radiant intensity q High pulse handling capability q Available in groups q Same package as SFH 305 Applications
q q q q
Wechsellichtbetrieb q Lochstreifenleser q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln” Typ Type SFH 405 Bestellnummer Ordering Code Q62702-P835
Miniature photointerrupters Punched tape-readers Industrial electronics For control and drive ciruits
Gehäuse Package Miniatur-Leiterbandgehäuse, klares Epoxy-Gießharz, linsenförmig, Anschluß im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Kathodenkennzeichnung: abgeschrägte Anschlüsse Miniature lead frame, transparent epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking: bevelled leads
Semiconductor Group
1
1997-11-01
feo06317
1) Detaching area for tools, flash not true to size.
3.5 3.0
0...5˚
3.6 3.2 3.0 2.5
SFH 405
Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezei...
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