SFH420

GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package 3.0 2.6 2.3 2.1 2.1 1.7 0.1 (typ) 0.9 0.7 SFH 420 SFH 425 fpl06724 SFH 420 TOPLED® 3.4 3.0 2.4 0.8 0.6 Cathode/Collector marking Approx. weight 0.03 g 1.1 0.5 0.18 0.6 0.12 0.4 Cathode/Collector GPL06724 (2.4) 2.8 2.4 4.2 3.8 0.7 3.7 3.3 Cathode/ Collector 2.54 spacing 1.1 0.9 Anode/ Emitter (2.85) GPL06880 Collector/Cathode marking (2.9) (R1) 3.8 3.4 SFH 425 SIDELED® fpl06867 4.2 3.8 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad q Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen q Gleichstrom- (mit Modulation) oder Impulsbetrieb möglich q Hohe Zuverlässigkeit q Hohe Impulsbelastbarkeit q Oberflächenmontage geeignet q Gegurtet lieferbar q SFH 420 Gehäusegleich mit SFH 320/421 SFH 425 Gehäusegleich mit SFH 325/426 q SFH 425: Nur für IR-Reflow-Lötung geeignet. Bei Schwallötung wenden Sie sich bitte an uns. Features q Very highly efficient GaAs-LED q Good Linearity (Ie = f [IF]) at high currents q DC (with modulation) or pulsed operations are possible q High reliability q High pulse handling capability q Suitable for surface mounting (SMT) q Available on tape and reel q SFH 420 same package as SFH 320/421 SFH 425 same package as SFH 325/426 q SFH 425: Suitable only for IR-reflow soldering. In case of dip soldering, please contact us first. Semiconductor Group 1 1997-11-01 SFH 420...