GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehause GaAs Infrared Emitter in SMT Package
GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package
3.0 2.6 2.3 2.1 2.1 1.7 0.1 (typ) 0.9 0.7
...
Description
GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package
3.0 2.6 2.3 2.1 2.1 1.7 0.1 (typ) 0.9 0.7
SFH 420 SFH 425
fpl06724 SFH 420 TOPLED®
3.4 3.0
2.4
0.8 0.6 Cathode/Collector marking Approx. weight 0.03 g
1.1 0.5
0.18 0.6 0.12 0.4 Cathode/Collector
GPL06724
(2.4)
2.8 2.4
4.2 3.8 0.7
3.7 3.3
Cathode/ Collector
2.54 spacing
1.1 0.9 Anode/ Emitter
(2.85)
GPL06880
Collector/Cathode marking
(2.9)
(R1)
3.8 3.4
SFH 425 SIDELED® fpl06867
4.2 3.8
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad q Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen q Gleichstrom- (mit Modulation) oder Impulsbetrieb möglich q Hohe Zuverlässigkeit q Hohe Impulsbelastbarkeit q Oberflächenmontage geeignet q Gegurtet lieferbar q SFH 420 Gehäusegleich mit SFH 320/421 SFH 425 Gehäusegleich mit SFH 325/426 q SFH 425: Nur für IR-Reflow-Lötung geeignet. Bei Schwallötung wenden Sie sich bitte an uns.
Features q Very highly efficient GaAs-LED q Good Linearity (Ie = f [IF]) at high currents q DC (with modulation) or pulsed operations are possible q High reliability q High pulse handling capability q Suitable for surface mounting (SMT) q Available on tape and reel q SFH 420 same package as SFH 320/421 SFH 425 same package as SFH 325/426 q SFH 425: Suitable only for IR-reflow soldering. In case of dip soldering, please contact us first.
Semiconductor Group
1
1997-11-01
SFH 420...
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