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GaAs-IR-Lumineszenzdioden (950 nm) GaAs Infrared Emitters (950 nm)
SFH 4510 SFH 4515
2.7 2.3
2.05 R 1.95
2.7 2.4
Chip position 4.5 7.5 3.9 5.5
(3.2) (R 2.8) (3.2) 6.0 5.4
GEO06968
14.7 13.1
2.54 mm spacing
-0.1...0.1
3.7 3.3
Cathode/ Collector
4.5 3.9 7.7 7.1
Chip position 8.0 7.4 15.5 14.7 4.5 3.9 2.05 R 1.95 (3.2) (R 2.8) (3.2) 6.0 5.4
GEO06969
4.8 4.4
SFH 4510
4.8 4.4 2.54 mm spacing
SFH 4515
4.5 3.9 7.7 7.1
Cathode/ Collector
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Semiconductor Group
-0.15...0.15
2.7 2.4
1
1998-11-12
SFH 4510 SFH 4515
Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Für Oberflächenmontage geeignet Gegurtet lieferbar Gehäusegleich mit Fotodiode SFH 2500/ SFH 2505 und Fototransistor SFH 3500/ SFH 3505 q Hohe Zuverlässigkeit q Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
q q q q
Features q Fabricated in a liquid phase epitaxy process q Suitable for surface mounting (SMT) q Available on tape and reel q Same package as photodiode SFH 2500/ SFH 2505 and phototransistor SFH 3500/ SFH 3505 q High reliability q Spectral match with silicon photodetectors
Anwendungen q IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern q Gerätefernsteuerungen für Gleich- und Wechsellichtbetrieb
Applications q IR remote control of hi-fi and TV-sets, video tape recorders, dimmers q Remote control for steady and varying intensity
Typ Type SFH 4510 SFH 4515
Bestellnummer Ordering Code Q62702-P1798 Q62702-P1821
Gehäuse Package 5-mm-LED-Gehäuse (T 1 3/4), schwarzes EpoxyGießharz, Anschlüsse (SFH 4510 gebogen, SFH 4515 gerade) im 2.54-mm-Raster (1/10’’),Kathodenkennzeichnung: siehe Maßzeichnung. 5 mm LED package (T 1 3/4), black-colored epoxy resin, solder tabs (SFH 4510 bent, SFH 4515 straight) lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking: see package outline.
Semiconductor Group
2
1998-11-12
SFH 4510 SFH 4515
Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Symbol Symbol Wert Value – 40 ... + 85 85 5 100 3 150 300 Einheit Unit °C °C V mA A mW K/W
Top; Tstg Tj VR IF (DC) IFSM Ptot
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung RthJA bei Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 20 mm2 Thermal resistance junction - ambient mounted on PC-board (FR4), padsize 20 mm2 each
Semiconductor Group
3
1998-11-12
SFH 4510 SFH 4515
Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 100 mA Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktive Chipfläche Dimension of the active chip area Schaltzeiten, Ie von 10.