SFH4552

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 495 P SFH 4552 29 27 5.0 4.2 Anode 2.54 mm spacing 5.9 5.5 0.6 0.4 0.8 0.4 Area not flat Chip position GEX06971 Area not flat 0.6 0.4 6.9 6.1 5.7 5.5 2.54 mm spacing 0.8 0.4 5.9 5.5 1.8 1.2 29.5 27.5 Cathode (Diode) Collector (Transistor) ø5.1 ø4.8 4.0 3.4 Chip position 0.6 0.4 GEX06630 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Stimulierter Emitter mit sehr hohem q q q q Features q Stimulated emitter with high efficiency q Laser diode in diffuse package q Suitable esp. for pulse operation at high Wirkungsgrad Laserdiode in diffusem Gehäuse Besonders geeignet für Impulsbetrieb bei hohen Strömen Hohe Zuverlässigkeit Gegurtet lieferbar current q High reliability q Available on tape and reel Anwendungen q Datenübertragung q Fernsteuerungen q „Messen, Steuern, Regeln“ Applications q Data transfer q Remote controls q For drive and control circuits Semiconductor Group 1 1998-09-18 feo06652 fex06971 1.8 1.2 3.85 3.35 ø5.1 ø4.8 0.6 0.4 SFH 495 P SFH 4552 Typ Type SFH 495 P Bestellnummer Ordering Code Q62703-Q7891 Gehäuse Package 5-mm-LED-Gehäuse (T 1 3/4), plan, schwarz eingefärbt, 2.54-mm-Raster, Kathodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß 5 mm LED package (T 1 3/4), flat, black colored, spacing 2.54 mm, cathode marking: short lead. 5-mm-LED-Gehäuse (T 1 3/4), plan, weiß diffus eingefärbt, 2.54-mm-Raster, Kathodenkennzeichnung: kürze...