GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter
SFH 483
ø0.45
Chip position
1 0.9 .1 1.1 .9 0
ø5.5 ø5.2
2.7
1
...
Description
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter
SFH 483
ø0.45
Chip position
1 0.9 .1 1.1 .9 0
ø5.5 ø5.2
2.7
1
2.54 mm spacing
14.5 12.5
3.6 3.0
ø4.3 ø4.1
Anode (LD 242, BPX 63, SFH 464) Cathode (SFH 483) Approx. weight 0.5 g
GET06625
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode mit hohem Wirkungsgrad q Die Anode ist galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden q Hohe Impulsbelastbarkeit q Hohe Zuverlässigkeit q Anwendungsklasse nach DIN 40040 GQG q Gehäusegleich mit BPX 63, BP 103, LD 242, SFH 464 Anwendungen q IR-Fernsteuerungen und Tonübertragungen q Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb Typ Type SFH 483 E7800 Bestellnummer Ordering Code Q62703-Q1090
Features Highly efficient GaAlAs LED Anode is electrically connected to the case High pulse power High reliability DIN humidity category in acc. with DIN 40040 GQG q Same package as BPX 63, BP 103, LD 242, SFH 464
q q q q q
Applications q IR remote controls and sound transmission q Photointerrupter
Gehäuse Package 18 A3 DIN 41870 (TO-18), Bodenplatte, klares EpoxyGießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’) 18 A3 DIN 41870 (TO-18), clear epoxy resin, lead spacing 2.54 mm (1/10’’)
Semiconductor Group
1
1997-11-01
fet06625
SFH 483
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspan...
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