DatasheetsPDF.com

SFH483

Siemens Semiconductor Group

GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter

GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 483 ø0.45 Chip position 1 0.9 .1 1.1 .9 0 ø5.5 ø5.2 2.7 1 ...


Siemens Semiconductor Group

SFH483

File Download Download SFH483 Datasheet


Description
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 483 ø0.45 Chip position 1 0.9 .1 1.1 .9 0 ø5.5 ø5.2 2.7 1 2.54 mm spacing 14.5 12.5 3.6 3.0 ø4.3 ø4.1 Anode (LD 242, BPX 63, SFH 464) Cathode (SFH 483) Approx. weight 0.5 g GET06625 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode mit hohem Wirkungsgrad q Die Anode ist galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden q Hohe Impulsbelastbarkeit q Hohe Zuverlässigkeit q Anwendungsklasse nach DIN 40040 GQG q Gehäusegleich mit BPX 63, BP 103, LD 242, SFH 464 Anwendungen q IR-Fernsteuerungen und Tonübertragungen q Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb Typ Type SFH 483 E7800 Bestellnummer Ordering Code Q62703-Q1090 Features Highly efficient GaAlAs LED Anode is electrically connected to the case High pulse power High reliability DIN humidity category in acc. with DIN 40040 GQG q Same package as BPX 63, BP 103, LD 242, SFH 464 q q q q q Applications q IR remote controls and sound transmission q Photointerrupter Gehäuse Package 18 A3 DIN 41870 (TO-18), Bodenplatte, klares EpoxyGießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’) 18 A3 DIN 41870 (TO-18), clear epoxy resin, lead spacing 2.54 mm (1/10’’) Semiconductor Group 1 1997-11-01 fet06625 SFH 483 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspan...




Similar Datasheet


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site. (Privacy Policy & Contact)