GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter 880 nm
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)
SFH 486
Area not flat 0.6 0.4
2.54 mm spacing 0.8...
Description
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)
SFH 486
Area not flat 0.6 0.4
2.54 mm spacing 0.8 0.4
9.0 8.2 7.8 7.5
ø5.1 ø4.8
5.9 5.5
Anode
1.8 1.2 29.5 27.5
5.7 5.1 Chip position
0.6 0.4
Approx. weight 0.5 g
GEX06626
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren q Hohe Zuverlässigkeit q Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Anwendungen
q IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Features q Fabricated in a liquid phase epitaxy process q High reliability q Spectral match with silicon photodetectors
Applications
q IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern q Gerätefernsteuerungen für Gleich- und Wechsellichtbetrieb Typ Type SFH 486 Bestellnummer Ordering Code Q62703-Q1094
tape recorders, dimmers
q Remote control for steady and varying
intensity
Semiconductor Group
1
1997-11-01
fex06626
SFH 486
Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlaβstrom Forward current Stoβstrom, tp = 10 µs, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA Spektrale Bandbreite ...
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