SFH4860

GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 4860 Chip position 2.54 mm spacing ø0.45 14.5 12.5 ø4.8 ø4.6 Cathode 4.05 3.45 GMO06983 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil q Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden q Sehr hoher Wirkungsgrad q Hohe Zuverlässigkeit q Kurze Schaltzeiten Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb bis 5 MHz q Hermetisch dichtes Gehäuse Features q Radiation without IR in the visible red range q Cathode is electrically connected to the case q Very high efficiency q High reliability q Short switching time Applications q Photointerrupters q Hermetically sealed package Typ Type SFH 4860 Bestellnummer Ordering Code Q62702-P5053 Gehäuse Package 18 A3 DIN 41876 (TO-18), Bodenplatte, Plankappe, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Anodenkennzeichnung: Nase am Gehäuseboden 18 A3 DIN 870 (TO -18), flat glass cap, lead spacing 2.54 mm (1/10’’), anode marking: projection at package bottom Semiconductor Group 1 1998-08-25 fmo06983 Flat glass cap ø2.54 1 0.9 .1 1.1 .9 0 5.5 5.2 (2.7) SFH 4860 Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0 Surge...