SFH520

SFH 520 SFH 520 A α-β-γ−Strahlungsdetektoren α-β-γ−Radiation Detectors SFH 520 SFH 520 A Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Eigenschaften Substratscheibe: Chipdicke: Vorderseite: Rückseite: 4600 ± 1400 Ωcm 381 ± 15 µm Aluminiumkontakt 1,4 µm Aluminiumabdeckung ganzflächig 0.1 µm 0,4 µm Gold/Arsen q Kleiner Dunkelstrom q Niedrige Kapazität q Hohe Durchbruchspannung ermöglicht Betrieb bei voll ausgeräumten Chip Features Substrate: Chip thickness: Topside: Backside: 4600 ± 1400 Ωcm 381 ± 15 µm Aluminium contact 1.4 µm Aluminium total cover 0.1 µm 0.4 µm Au/As q Low dark current q Low capacitance q High breakdown voltage permits operation at full depletion Typ Type SFH 520 SFH 520 A Bestellnummer Ordering Code Q62702-P419 Q62702-P429 485 10.95 Semiconductor Group fes06874 SFH 520 SFH 520 A Kennwerte Characteristics Bezeichnung Description Sperrspannung Breakdown voltage 100 µA Dunkelstrom Dark current 100 V 160 V Flußspannung Forward voltage 100 mA Kapazität Capacitance f = 1 MHz, Ev = 0 80 V 150 V Kapazität pro cm2 Capacitance per cm2 120 V Betriebsspannung Operating voltage Ladungsträger - Lebensdauer Charge carrier lifetime Symbol Symbol Wert Value > 180 Einheit Unit V VR IR (< 15) 10 (< 20) nA VF 0.7 (< 2.0) V C 12 10 pF C/cm2 32 pF Vop – 90 ... 120 10 V msec. Current and Capacitance Characteristics per cm2 Semiconductor Group 486 ...